Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
Иванов В.Г.1, Панасенков В.И.1, Иванов Г.В.2
1Центральный научно-исследовательский институт "Электрон", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Исследована спектральная зависимость фотоэмиссии горячих электронов через барьер Шоттки силицид металла-креминй при энергиях фотонов, сравнимых с высотой барьера. В диффузионном приближении с использованием метода функций Грина получено выражение для спектральной зависимости квантовой эффективности фотоэмиссии при различных соотношениях толщины слоя (d) и длин свободного пробега горячих электронов для упругих (Lp) и неупругих (Le) столкновений. Обнаружено сильное влияние отношения Le/d на рост величины и форму спектральной зависимости квантовой эффективности, существенно отклоняющуюся от фаулеровской при возрастании квантовой эффективности. Для силицидов Pt, Co и Ge показано удовлетворительное согласие теоретической и экспериментальных спектральных зависимостей квантовой эффективности, позволяющее в ряде случаев оценивать величину Le в эксперименте и оптимизировать технологию получения барьера Шоттки для инфракрасных приемников. Обсуждаются причины аномально резкого увеличения фотоэмиссии горячих электронов с ростом энергии возбуждающего кванта при энергиях, близких к потенциальной энергии барьера Шоттки.
- J. Cohen, J. Vilms, R.J. Archer. Hewlett-Packards labs, Palo Alto, CA, Final Rep. AFCRL-69-0287, June 1969
- R.J. Acher, J. Cohen. Device Res. Conf. (Rochester, N.Y., 1969)
- H. Elabd, W. Kosonoky. RCA Rev., 43, 569 (1982)
- R.H. Fowler. Phys. Rev., 38, 45 (1931)
- E.O. Kane. Phys. Rev., 147, 335 (1966)
- V.L. Dalal. J. Appl. Phys., 42, 2227 (1971)
- V.E. Vichers. Appl. Opt., 10, 2190 (1971)
- J.M. Mooney, J. Silverman. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-32, 33 (1985)
- В.Г. Иванов, С.А. Кассиров, В.И. Панасенков, В.С. Трояновский. Тез. докл. 4-й конф. по приборам с зарядовой связью и системам на их основе "ПЗС-92" (М., 1992) с. 24
- В.И. Смирнов. Курс высшей математики (М., Гостехиздат, 1951) т. 4.
- D.E. Mercer, C.R. Helms. J. Appl. Phys., 65, 5035 (1989)
- J. Kuriansky, Y. Vermairen, C. Claeys, W. Stessens, K. Maex, R. De Keersmaecker. SPIE Infr. Techn., 1157, 145 (1989)
- T.-L. Lin, J.-S. Park, T. George, E.W. Jones, R.W. Fathauer, J. Maserjian. Appl. Phys. Lett., 62, 3318 (1993)
- T.-L. Lin, J.-S. Park, S.D. Ganapala, E.W. Jones, H.M. Del Castillo. Opt. Eng., 33, 716 (1994)
- J.M. Mooney, J. Silverman, M.M. Weeks. SPIE Infrared Sensors and Sensor Fusion, 782, 99 (1987).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.