"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
Иванов В.Г.1, Панасенков В.И.1, Иванов Г.В.2
1Центральный научно-исследовательский институт "Электрон", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Исследована спектральная зависимость фотоэмиссии горячих электронов через барьер Шоттки силицид металла--креминй при энергиях фотонов, сравнимых с высотой барьера. В диффузионном приближении с использованием метода функций Грина получено выражение для спектральной зависимости квантовой эффективности фотоэмиссии при различных соотношениях толщины слоя (d) и длин свободного пробега горячих электронов для упругих (Lp) и неупругих (Le) столкновений. Обнаружено сильное влияние отношения Le/d на рост величины и форму спектральной зависимости квантовой эффективности, существенно отклоняющуюся от фаулеровской при возрастании квантовой эффективности. Для силицидов Pt, Co и Ge показано удовлетворительное согласие теоретической и экспериментальных спектральных зависимостей квантовой эффективности, позволяющее в ряде случаев оценивать величину Le в эксперименте и оптимизировать технологию получения барьера Шоттки для инфракрасных приемников. Обсуждаются причины аномально резкого увеличения фотоэмиссии горячих электронов с ростом энергии возбуждающего кванта при энергиях, близких к потенциальной энергии барьера Шоттки.
  1. J. Cohen, J. Vilms, R.J. Archer. Hewlett-Packards labs, Palo Alto, CA, Final Rep. AFCRL-69-0287, June 1969
  2. R.J. Acher, J. Cohen. Device Res. Conf. (Rochester, N.Y., 1969)
  3. H. Elabd, W. Kosonoky. RCA Rev., 43, 569 (1982)
  4. R.H. Fowler. Phys. Rev., 38, 45 (1931)
  5. E.O. Kane. Phys. Rev., 147, 335 (1966)
  6. V.L. Dalal. J. Appl. Phys., 42, 2227 (1971)
  7. V.E. Vichers. Appl. Opt., 10, 2190 (1971)
  8. J.M. Mooney, J. Silverman. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-32, 33 (1985)
  9. В.Г. Иванов, С.А. Кассиров, В.И. Панасенков, В.С. Трояновский. Тез. докл. 4-й конф. по приборам с зарядовой связью и системам на их основе "ПЗС-92" (М., 1992) с. 24
  10. В.И. Смирнов. Курс высшей математики (М., Гостехиздат, 1951) т. 4.
  11. D.E. Mercer, C.R. Helms. J. Appl. Phys., 65, 5035 (1989)
  12. J. Kuriansky, Y. Vermairen, C. Claeys, W. Stessens, K. Maex, R. De Keersmaecker. SPIE Infr. Techn., 1157, 145 (1989)
  13. T.-L. Lin, J.-S. Park, T. George, E.W. Jones, R.W. Fathauer, J. Maserjian. Appl. Phys. Lett., 62, 3318 (1993)
  14. T.-L. Lin, J.-S. Park, S.D. Ganapala, E.W. Jones, H.M. Del Castillo. Opt. Eng., 33, 716 (1994)
  15. J.M. Mooney, J. Silverman, M.M. Weeks. SPIE Infrared Sensors and Sensor Fusion, 782, 99 (1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.