"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности фотопроводимости CdxHg1-xTe (x=0.2/ 0.3) с тонкопленочным алюминиевым покрытием
Салаев Э.Ю.1, Гусейнов Э.К.1, Тезер Атеш2, Исмайлов Н.Д.1
1Институт фотоэлектроники Академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2ТУБИТАК, Мармара Исследовательский Центр, Гебзе, Турция
Поступила в редакцию: 13 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Приведены результаты экспериментального исследования фотопроводимости n- и p-CdxHg1-xTe (x=0.2/0.3) при нанесении на поверхность тонких пленок алюминия. Анализ полученных результатов проведен с учетом влияния приповерхностной области пространственного заряда и рекомбинации в ней. Из измерений фотопроводимости и барьерного фототока определены значения скорости поверхностной рекомбинации и поверхностной подвижности носителей заряда.
  1. Н.Р. Ангин, В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, М.Р. Пашковский. Зарубежн. электрон. техн., 5, 49 (1984)
  2. Е.П. Мацасс, А.И. Власенко, Е.А. Сальков, О.В. Снитко, А.В. Любченко, УФЖ, 26, 670 (1981)
  3. А.Я. Вуль, К.В. Санин, В.И. Федоров, Р.Ю. Хансеваров, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, 5, 932 (1979)
  4. E.K. Guseinov, N.D. Ismailov. Turkish J. Phys., 18, 660 (1994)
  5. Э.К. Гусейнов, Н.Д. Исмайлов. ФТП, 29, 1790 (1995)
  6. D.J. Peterman, D.J. Friedman, Appl. Phys. Lett., 42, 886 (1980)
  7. В.А. Зуев, А.В. Саченко, К.В. Толпыго. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Радио и связь, 1977)
  8. А.Я. Вуль, К.В. Санин, А.Т. Дидейкин, Ю.С. Зинченко, А.В. Саченко. ФТП, 17, 1471 (1983)
  9. В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, А.В. Криулин, Д.А. Марцулов, М.С. Никитин, А.Ю. Никофоров, А.С. Петров, А.А. Умеренко. Микроэлектроника, 16, 407 (1987)
  10. М.Е. Райх, И.М. Рузин. ФТП, 21, 456 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.