"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
Качурин Г.А.1, Тысченко И.Е.1, Скорупа В.1, Янков Р.А.1, Журавлев К.С.1, Паздников Н.А.1, Володин В.А.1, Гутаковский А.К.1, Лейер А.Ф.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 25 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

В термически выращенные на Si слои SiO2 имплантированы ионы Si+ дозой ~ 1017 см-2 с энергиями 100 и 200 кэВ. Использовались два вида импульсных отжигов: при 900/ 1200oC в течение 1 с и при 1050/ 1350oC в течение 20 мс. После имплантации наблюдалась фотолюминесценция в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. На начальных этапах отжига интенсивность фотолюминесценции падала, однако после отжига при 1200oC, 1 c или при 1350oC, 20 мс она резко возрастала в десятки раз. Согласно данным комбинационного рассеяния и высокоразрешающей электронной микроскопии, этому соответствовало формирование в SiO2 нанокристаллов Si. Используемые длительности отжигов исключали диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Si, но их формирование могло происходить за счет твердофазной кристаллизации аморфных включений. Корреляция между резким усилением люминесценции и формированием нанокристаллов Si свидетельствует в пользу квантово-размерного механизма ее возникновения.
  1. T. Kawaguchi, S. Miyazima. Japan. J. Appl. Phys., 32, J215 (1993)
  2. M. Ruckschloss, B. Landkammer, S. Veprek. Appl. Phys. Lett., 63, 1474 (1993)
  3. H. Tamura, M. Ruckschloss, T. Wirschem, S. Veprek. Appl. Phys. Lett., 65, 1537 (1994)
  4. X. Zhao, O. Schoenfeld, S. Komuro, J. Aoyagi, T. Sugano. Phys. Rev. B, 50, 18 654 (1994)
  5. Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, 1977 (1995)
  6. Q. Zhang, S.C. Bayliss, A. Al-Ajili, D.A. Hutt, P. Harris. Nucl. Instrum. Meth. B, 97, 329 (1995)
  7. B.H. Augustine, E.A. Irene, J.J. He, K.J. Price, Z.E. McNeil, K.N. Christensen, D.M. Maher. J. Appl. Phys., 78, 4020 (1995)
  8. P. Wickboldt, H.M. Cheong, D. Pang, J.H. Chen, W. Paul. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 368, 127 (1995)
  9. M.H. Ludwig, J. Menniger, R.E. Hummel. J. Phys.: Condens. Matter., 7, 9081 (1995)
  10. H.A. Awater, K.V. Shcheglov, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.I. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 316, 409 (1994)
  11. T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994)
  12. T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
  13. T. Komoda, J.P. Kelly, A. Nejim, K.P. Homewood, P.L.F. Hemment, B.J. Sealy. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 368 163 (1995)
  14. J.G. Zhu, C.W. White, J.D. Budai, S.P. Withrow, Y. Chen. J. Appl. Phys., 78, 4386 (1995)
  15. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertori, Z. Bonolde, G.F. Cerafolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  16. B. Hamilton. Semicond. Sci. Technol., 10, 1187 (1995)
  17. L.A. Nesbit. Appl. Phys. Lett., 46, 38 (1985)
  18. А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.Н. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
  19. A. Harstein, J.C. Tsang, D.J. Di Maria, D.W. Dong. Appl. Phys. Lett., 36, 836 (1980)
  20. Г.А. Качурин. Микроэлектроника, 23, 83 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.