Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 25 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
В термически выращенные на Si слои SiO2 имплантированы ионы Si+ дозой ~ 1017 см-2 с энергиями 100 и 200 кэВ. Использовались два вида импульсных отжигов: при 900/ 1200oC в течение 1 с и при 1050/ 1350oC в течение 20 мс. После имплантации наблюдалась фотолюминесценция в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. На начальных этапах отжига интенсивность фотолюминесценции падала, однако после отжига при 1200oC, 1 c или при 1350oC, 20 мс она резко возрастала в десятки раз. Согласно данным комбинационного рассеяния и высокоразрешающей электронной микроскопии, этому соответствовало формирование в SiO2 нанокристаллов Si. Используемые длительности отжигов исключали диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Si, но их формирование могло происходить за счет твердофазной кристаллизации аморфных включений. Корреляция между резким усилением люминесценции и формированием нанокристаллов Si свидетельствует в пользу квантово-размерного механизма ее возникновения.
- T. Kawaguchi, S. Miyazima. Japan. J. Appl. Phys., 32, J215 (1993)
- M. Ruckschloss, B. Landkammer, S. Veprek. Appl. Phys. Lett., 63, 1474 (1993)
- H. Tamura, M. Ruckschloss, T. Wirschem, S. Veprek. Appl. Phys. Lett., 65, 1537 (1994)
- X. Zhao, O. Schoenfeld, S. Komuro, J. Aoyagi, T. Sugano. Phys. Rev. B, 50, 18 654 (1994)
- Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, 1977 (1995)
- Q. Zhang, S.C. Bayliss, A. Al-Ajili, D.A. Hutt, P. Harris. Nucl. Instrum. Meth. B, 97, 329 (1995)
- B.H. Augustine, E.A. Irene, J.J. He, K.J. Price, Z.E. McNeil, K.N. Christensen, D.M. Maher. J. Appl. Phys., 78, 4020 (1995)
- P. Wickboldt, H.M. Cheong, D. Pang, J.H. Chen, W. Paul. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 368, 127 (1995)
- M.H. Ludwig, J. Menniger, R.E. Hummel. J. Phys.: Condens. Matter., 7, 9081 (1995)
- H.A. Awater, K.V. Shcheglov, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.I. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 316, 409 (1994)
- T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994)
- T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
- T. Komoda, J.P. Kelly, A. Nejim, K.P. Homewood, P.L.F. Hemment, B.J. Sealy. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 368 163 (1995)
- J.G. Zhu, C.W. White, J.D. Budai, S.P. Withrow, Y. Chen. J. Appl. Phys., 78, 4386 (1995)
- P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertori, Z. Bonolde, G.F. Cerafolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
- B. Hamilton. Semicond. Sci. Technol., 10, 1187 (1995)
- L.A. Nesbit. Appl. Phys. Lett., 46, 38 (1985)
- А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.Н. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
- A. Harstein, J.C. Tsang, D.J. Di Maria, D.W. Dong. Appl. Phys. Lett., 36, 836 (1980)
- Г.А. Качурин. Микроэлектроника, 23, 83 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
