"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs
Кавокин А.В.1, Кохановский С.И.1, Несвижский А.И.1, Сасин М.Э.1, Сейсян Р.П.1, Устинов В.М.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Гупалов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

При T=1.7 K и в магнитном поле B=< 7.5 Тл выполнено оптическое и магнитнооптическое исследование напряженной гетероструктуры с квантовыми ямами в системе (In,Ga)As/GaAs, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Хорошо разрешаемая осцилляционная структура спектров магнитопоглощения позволяет восстанавливать "веерные диаграммы" для переходов между уровнями Ландау квантово-размерных состояний HH1E1 при учете энергий связи экситонов, вычисленных вариационным методом. На основании этого получены приведенные циклотронные массы носителей для квантовых ям с различным содержанием индия. Самосогласованное вариационное решение экситонной задачи в изучаемой структуре показывает, что при слабом потенциале типа II эффект кулоновской локализации дырки приводит к относительному увеличению силы осциллятора экситонного перехода LH1E1, притом экситонные переходы LH1E1 и LH3E1 остаются пространственно прямыми и сохраняют существенную интенсивность. Расщепление ~ 9 мэВ между этими двумя состояниями в нулевом магнитном поле находится в согласии с экспериментом. Существенная сила осциллятора экситонов с легкой дыркой наряду с дублетной структурой являются экспериментальным подтверждением преобразования невысокого барьера для легкой дырки в типе II электронным притяжением в квантовую яму с параболическим "кулоновским" профилем вблизи вершины, или же "кулоновскую яму".
  • J.-P. Reithmaier, R. Hoger, H. Riechert, A. Heberle, G. Abstreiter, G. Weimann. Appl. Phys. Lett., 56, 536 (1990)
  • X.M. Fang, X.C. Shen, H.Q. Hou, W. Feng, J.M. Zhou, F. Koch. Surf. Sci., 228, 351 (1990)
  • Y.S. Huang, H. Qiang, F.H. Pollak, G.D. Pettit, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, H. Stiagier, L.B. Sorensen. J. Appl. Phys., 70, 7537 (1991)
  • А.В. Кавокин, А.И. Несвижский, Р.П. Сейсян. ФТП, 27, 977 (1993)
  • Ал.Л. Эфрос. ФТП, 20, 1281 (1986)
  • Landolt-Bornstein (Springer Verlag, Berlin, 1987) v. 22, III, 22a
  • M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  • D.J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, G. De Boeck, G. Bords. J. Appl. Phys., 66, 1739 (1989)
  • Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М. Наука, 1984)
  • R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, A.I. Nesvizhskii, M.E. Sasin, M.A. Sinitzin, B.S. Yavich. Semicond. Sci. Technol., 10, 611 (1995)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Наука, 1974)
  • A.V. Kavokin, A.I. Nesvizhskii. Phys. Rev. B, 49, 17055 (1994)
  • G. Peter, E. Delepotre, G. Bastard, J.M. Berroir, C. Delalande, B. Gil, J.M. Hong, L.L. Chang. J. Luminesc., 52, 147 (1992)
  • G. Peter, E. Delepotre, G. Bastard, J.M. Berroir, C. Delalande, B. Gil, J.M. Hong, L.L. Chang. Phys. Rev. B, 42, 5891 (1990)
  • E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures. Symmetry and Optical Phenomena. Springer Ser. Sol. St. Sci. (Springer Verlag, 1995) v. 110
  • Н.Д. Ильинская, С.И. Кохановский, Р.П. Сейсян. ФТП, 27, 108 (1993)
  • С.И. Кохановский, Ю.М. Макушенко, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева, М.А. Абдуллаев. ФТП, 25, 493 (1991)
  • R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, A.I. Nesvizhskii, M.E. Sasin, M.A. Sinitzin, B.S. Yavich. Semicond. Sci. Technol., 10, 611 (1995)
  • F.S. Zhang, H. Luo, N. Dai, N. Samarth, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 47, 3806 (1993)
  • R.P. Seisyan, M.E. Sasin, S.I. Kokhanovskii, M.R. Vladimirova, A.V. Kavokin, M.A. Kaliteevskii, V.M. Ustinov. In: Proc. 23-d Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Berlin, 1996)
  • A. Ribayrol, D. Coquillat, A.V. Kavokin, J.P. Lascaray, H.P. Zhou, C.M. Sottomayor-Torres, B. Lunn, D.E. Ashenford. Proc. 3-d Int. Conf. on Optics of Excitons in Confined Systems (Montpellier, France, 1993).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.