"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs
Кавокин А.В.1, Кохановский С.И.1, Несвижский А.И.1, Сасин М.Э.1, Сейсян Р.П.1, Устинов В.М.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Гупалов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

При T=1.7 K и в магнитном поле B=< 7.5 Тл выполнено оптическое и магнитнооптическое исследование напряженной гетероструктуры с квантовыми ямами в системе (In,Ga)As/GaAs, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Хорошо разрешаемая осцилляционная структура спектров магнитопоглощения позволяет восстанавливать "веерные диаграммы" для переходов между уровнями Ландау квантово-размерных состояний HH1E1 при учете энергий связи экситонов, вычисленных вариационным методом. На основании этого получены приведенные циклотронные массы носителей для квантовых ям с различным содержанием индия. Самосогласованное вариационное решение экситонной задачи в изучаемой структуре показывает, что при слабом потенциале типа II эффект кулоновской локализации дырки приводит к относительному увеличению силы осциллятора экситонного перехода LH1E1, притом экситонные переходы LH1E1 и LH3E1 остаются пространственно прямыми и сохраняют существенную интенсивность. Расщепление ~ 9 мэВ между этими двумя состояниями в нулевом магнитном поле находится в согласии с экспериментом. Существенная сила осциллятора экситонов с легкой дыркой наряду с дублетной структурой являются экспериментальным подтверждением преобразования невысокого барьера для легкой дырки в типе II электронным притяжением в квантовую яму с параболическим "кулоновским" профилем вблизи вершины, или же "кулоновскую яму".
  1. J.-P. Reithmaier, R. Hoger, H. Riechert, A. Heberle, G. Abstreiter, G. Weimann. Appl. Phys. Lett., 56, 536 (1990)
  2. X.M. Fang, X.C. Shen, H.Q. Hou, W. Feng, J.M. Zhou, F. Koch. Surf. Sci., 228, 351 (1990)
  3. Y.S. Huang, H. Qiang, F.H. Pollak, G.D. Pettit, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, H. Stiagier, L.B. Sorensen. J. Appl. Phys., 70, 7537 (1991)
  4. А.В. Кавокин, А.И. Несвижский, Р.П. Сейсян. ФТП, 27, 977 (1993)
  5. Ал.Л. Эфрос. ФТП, 20, 1281 (1986)
  6. Landolt-Bornstein (Springer Verlag, Berlin, 1987) v. 22, III, 22a
  7. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  8. D.J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, G. De Boeck, G. Bords. J. Appl. Phys., 66, 1739 (1989)
  9. Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М. Наука, 1984)
  10. R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, A.I. Nesvizhskii, M.E. Sasin, M.A. Sinitzin, B.S. Yavich. Semicond. Sci. Technol., 10, 611 (1995)
  11. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Наука, 1974)
  12. A.V. Kavokin, A.I. Nesvizhskii. Phys. Rev. B, 49, 17055 (1994)
  13. G. Peter, E. Delepotre, G. Bastard, J.M. Berroir, C. Delalande, B. Gil, J.M. Hong, L.L. Chang. J. Luminesc., 52, 147 (1992)
  14. G. Peter, E. Delepotre, G. Bastard, J.M. Berroir, C. Delalande, B. Gil, J.M. Hong, L.L. Chang. Phys. Rev. B, 42, 5891 (1990)
  15. E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures. Symmetry and Optical Phenomena. Springer Ser. Sol. St. Sci. (Springer Verlag, 1995) v. 110
  16. Н.Д. Ильинская, С.И. Кохановский, Р.П. Сейсян. ФТП, 27, 108 (1993)
  17. С.И. Кохановский, Ю.М. Макушенко, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева, М.А. Абдуллаев. ФТП, 25, 493 (1991)
  18. R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, A.I. Nesvizhskii, M.E. Sasin, M.A. Sinitzin, B.S. Yavich. Semicond. Sci. Technol., 10, 611 (1995)
  19. F.S. Zhang, H. Luo, N. Dai, N. Samarth, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 47, 3806 (1993)
  20. R.P. Seisyan, M.E. Sasin, S.I. Kokhanovskii, M.R. Vladimirova, A.V. Kavokin, M.A. Kaliteevskii, V.M. Ustinov. In: Proc. 23-d Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Berlin, 1996)
  21. A. Ribayrol, D. Coquillat, A.V. Kavokin, J.P. Lascaray, H.P. Zhou, C.M. Sottomayor-Torres, B. Lunn, D.E. Ashenford. Proc. 3-d Int. Conf. on Optics of Excitons in Confined Systems (Montpellier, France, 1993).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.