Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Лазеры на квантовых точках: основные компоненты пороговой плотности тока

Зайцев С.В.¹, Гордеев Н.Ю.¹, Копчатов В.И.¹, Георгиевский А.М.¹, Устинов В.М.¹, Жуков А.Е.¹, Егоров А.Ю.¹, Ковш А.Р.¹, Леденцов Н.Н.¹, Копьев П.С.¹, Бимберг Д.², Алферов Ж.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany

Поступила в редакцию: 4 февраля 1997 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

PDF версия

Исследованы инжекционные гетеролазеры на квантовых точках, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что пороговая плотность тока при комнатной температуре может быть снижена до 15 А/см² при уменьшении безызлучательной рекомбинации и при повышении степени локализации носителей. С помощью метода электропоглощения исследована плотность состояний в структурах с вертикально-связанными квантовыми точками.

S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, M.P. Soshnikov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev. Proc. SPIE's Optical Dimension and Materials (OPDIM) Conference (Kiev, 1995) N 2648-45, p. 287
Zh.I. Alferov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, P.S. Kop'ev, I.V. Kochnev, V.V. Komin, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A.V. Lunev, M.V. Maximov, S.S. Ruvimov, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, Yu.M. Shernyakov, D. Bimberg. Semicond., 30, 197 (1996)
V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.A. Bert, A.A. Kosogov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Proc. Mater. Res. Soc. (Boston, USA, 1995) v. 417, p. 141
S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Superlatt. Microstr. (1997) (to be published)
V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele. IX Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy (Malibu, CA, USA, 1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель