"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками
Звонков Б.Н.1, Малкина И.Г.1, Линькова Е.Р.1, Алешкин В.Я.2, Карпович И.А.3, Филатов Д.О.3
1Научно-исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 27 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

Исследованы спектры конденсаторной фотоэдс и фотопроводимости гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками, полученных газофазной эпитаксией с использованием металлорганических соединений. Спектр фоточувствительности в области поглощения квантовых точек имеет характерную пикообразную форму, отражающую delta-образный характер функции плотности состояний. На спектрах проявляется также полоса фоточувствительности, связанная с образованием в структуре монослойной квантовой ямы InAs. Получено выражение для коэффициента поглощения ансамблем квантовых точек, имеющих некоторое распределение по размерам. Показано, что анализ на его основе спектров фоточувствительности позволяет определить энергетическое распределение комбинированной плотности состояний, поверхностную плотность квантовых точек, эффективное сечение захвата фотона.
  1. Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, С.С. Рувимов, В.М. Устинов, И. Хейденрайх. УФН. 165, 224 (1995)
  2. S.S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, J. Heydenreich, U. Richter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, Phys. Rev. B, 51, 14, 766 (1995)
  3. D. Bimberg, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Abstracts Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1995) p. 167
  4. G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995)
  5. I.N. Stranski, L. von Krastanov. Sitzungsber. Akad. Wiss. Wien IIb, 146, 797 (1938)
  6. M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
  7. L.N. Bolotov, A.K. Kryganovdkij, I. Kochnev, P.S. Kop'ev, I.V. Makarenko, B.Y. Maltser, A.N. Titkov, M. Fehrenbacher, M. Noeske, H. Rauscher, P.J. Behm. Abstracts Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1995) p. 193
  8. C. Weisbuch, B. Vinter. Quantum Semiconductor Structures: Fundamentals and Applications (San Diego, Academic Press, 1991)
  9. J.-Y. Marzin, J.M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard. Phys. Rev. Lett., 73, 716 (1994)
  10. И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Т.С. Бабушкина, Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина. ФТП, 24, 2172 (1990)
  11. И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 26, 1889 (1992)
  12. И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 30, N10 (1996)
  13. E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  14. В.Я. Алешкин, Е.В. Демидов, В.Н. Звонков, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, 25, 1047 (1991)
  15. G. Huang, D. Ji, U.K. Reddy, T.S. Henderson. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987)
  16. В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, И.А. Карпович. ФТП, 27, 1344 (1993)
  17. M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11 969 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.