Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками

Звонков Б.Н.¹, Малкина И.Г.¹, Линькова Е.Р.¹, Алешкин В.Я.², Карпович И.А.³, Филатов Д.О.³

¹Научно-исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете Нижний Новгород, Россия
²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

³Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 27 февраля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры конденсаторной фотоэдс и фотопроводимости гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками, полученных газофазной эпитаксией с использованием металлорганических соединений. Спектр фоточувствительности в области поглощения квантовых точек имеет характерную пикообразную форму, отражающую delta-образный характер функции плотности состояний. На спектрах проявляется также полоса фоточувствительности, связанная с образованием в структуре монослойной квантовой ямы InAs. Получено выражение для коэффициента поглощения ансамблем квантовых точек, имеющих некоторое распределение по размерам. Показано, что анализ на его основе спектров фоточувствительности позволяет определить энергетическое распределение комбинированной плотности состояний, поверхностную плотность квантовых точек, эффективное сечение захвата фотона.

Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, С.С. Рувимов, В.М. Устинов, И. Хейденрайх. УФН. 165, 224 (1995)
S.S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, J. Heydenreich, U. Richter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, Phys. Rev. B, 51, 14, 766 (1995)
D. Bimberg, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Abstracts Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1995) p. 167
G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995)
I.N. Stranski, L. von Krastanov. Sitzungsber. Akad. Wiss. Wien IIb, 146, 797 (1938)
M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
L.N. Bolotov, A.K. Kryganovdkij, I. Kochnev, P.S. Kop'ev, I.V. Makarenko, B.Y. Maltser, A.N. Titkov, M. Fehrenbacher, M. Noeske, H. Rauscher, P.J. Behm. Abstracts Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1995) p. 193
C. Weisbuch, B. Vinter. Quantum Semiconductor Structures: Fundamentals and Applications (San Diego, Academic Press, 1991)
J.-Y. Marzin, J.M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard. Phys. Rev. Lett., 73, 716 (1994)
И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Т.С. Бабушкина, Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина. ФТП, 24, 2172 (1990)
И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 26, 1889 (1992)
И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 30, N10 (1996)
E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
В.Я. Алешкин, Е.В. Демидов, В.Н. Звонков, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, 25, 1047 (1991)
G. Huang, D. Ji, U.K. Reddy, T.S. Henderson. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987)
В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, И.А. Карпович. ФТП, 27, 1344 (1993)
M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11 969 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель