"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора
Булярский С.В.1, Грушко Н.С.1, Сомов А.И.1, Лакалин А.В.1
1Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова в г. Ульяновске, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

Учтено влияние рекомбинации в области пространственного заряда эмиттерного перехода на коэффициент передачи биполярного транзистора. Результаты измерений коэффициента передачи транзистора при низком уровне инжекции на некоторых промышленных образцах практически совпадают с расчетными значениями, сделанными по полученным выражениям с учетом глубоких уровней и рекомбинации через них.
  1. C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shocley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  2. С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Физические принципы функциональной диагностики p-n-переходов с дефектами (Кишинев, Штиинца, 1992) с. 236
  3. С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995) с. 399
  4. Н.С. Спиридонов. Основы теории транзисторов (Киев, Техника, 1969) с. 225
  5. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 453

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.