Вышедшие номера
Высокотемпературное облучение арсенида галлия
Пешев В.В.1, Смородинов С.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 26 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии изучалась кинетика введения центров P2 и P3 в эпитаксиальных слоях GaAs n-типа при облучении электронами с энергией 4 МэВ в температурном интервале 380/ 550oC. Показано, что скорости введения центров не зависят от температуры в этом интервале. Установлено, что концентрация центров P2 пропорциональна D0.7, а центров P3 - D0.5, где D - доза облучения.