Вышедшие номера
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии
Чарыков Н.А.1, Литвак А.М.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Проведен расчет диаграмм фазовых равновесий расплав-твердый раствор (диаграмм плавкости) и твердый раствор (I)-твердый раствор (II) (поверхностей спинодального распада твердых растворов) в пятикомпонентной системе In-Ga-As-Sb-P (твердые растворы изопериодны подложкам GaSb и InAs). Проведен расчет концентрационных областей твердых растворов изовалентного замещения InxGa1-xAsySbzP1-y-z, доступных к синтезу, методом жидкофазной эпитаксии.