Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Твердый раствор In_xGa_1-xAs_ySb_zP_1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии

Чарыков Н.А.¹, Литвак А.М.¹, Михайлова М.П.¹, Моисеев К.Д.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 мая 1996 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен расчет диаграмм фазовых равновесий расплав-твердый раствор (диаграмм плавкости) и твердый раствор (I)-твердый раствор (II) (поверхностей спинодального распада твердых растворов) в пятикомпонентной системе In-Ga-As-Sb-P (твердые растворы изопериодны подложкам GaSb и InAs). Проведен расчет концентрационных областей твердых растворов изовалентного замещения In_xGa_1-xAs_ySb_zP_1-y-z, доступных к синтезу, методом жидкофазной эпитаксии.

Дж.В. Гиббс. Термодинамика. Статистическая механика (М., Наука, 1982) с. 584
А.В. Сторонкин. Термодинамика гетерогенных систем (Л., ЛГУ, 1967) ч. 1, с . 467
М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 678 (1996)
M. Mebarki, A. Cardi, H. Mani. J. Appl. Phys., 73, 2360 (1993)
Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 20, 20 (1994)
А.И. Андреев, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.В. Пенцов, Ю.П. Сморчкова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18, 50 (1992)
Yu. Yakovlev, A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev. J. de Phys. 65, 3219 (1984)
A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64, 3219 (1994)
А.Н. Баранов, А.Н. Именков, О.П. Капранчик, А.М. Литвак, Н.А. Чарыков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 16, 19 (1990)
A.N. Baranov, N.A. Charykov, A.M. Litvak, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. 1 Int. Conf. on Epit. Cryst. Growth (Budapest, 1990) p. 390
M. Panish, M. Ilegems. Progress in Solid State Chemistry (N.Y., 1972) p. 390
О. Маделунг. Физика полупроводниковых элементов III и V групп (М., Мир, 1967) с. 480
А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. ЖФХ, 66, 923 (1992)
А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. ФТП, 24, 2106 (1990)
А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. ЖФХ, 64, 2331 (1990)
А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 27, 225 (1991)
А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. ЖНХ, 35, 3008 (1990)
А.Н. Баранов, А.М. Литвак, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ЖПХ, 63, 976 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель