Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного и межузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода

Колковский И.И.¹, Лукьяница В.В.²

¹Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

²Белорусский государственный медицинский институт, Минск, Белоруссия

Поступила в редакцию: 20 марта 1996 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались процессы образования основных радиационных дефектов в кремнии (A-, E-центры, комплексы C_i-C_s и C_i-O_i) в бездислокационных кристаллах и кристаллах с низким содержанием дислокаций (N_D~=1· 10⁴ см^-2) в зависимости от концентрации кислорода N_O. Особенности накопления и отжига радиационных дефектов, наблюдаемые в бездислокационном кремнии, интерпретированы с учетом наличия межузельных включений в объеме таких кристаллов. Установлено, что геттерирующие свойства включений сложным образом зависят от концентрации кислорода и максимально выражены при N_O~= 3· 10¹⁶ см^-3.

В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., 1981)
G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121, 1001 (1961)
L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a), 93, K147 (1986); 101, K107 (1987)
Н.В. Кузнецов, Г.Г. Соловьев. Радиационная стойкость кремния (М., 1989)
Р.Ф. Витман, Н.А. Витовский, А.А. Лебедев, Т.В. Машовец, Л.В. Налбандян. ФТП, 24, 45 (1990)
В.В. Емцев, Г.А. Оганесян, К. Шмальц. ФТП, 27, 1549 (1993)
I.I. Kolkovskii, P.F. Lugakov, V.V. Lukjanitsa, V.V. Shusha. Phys. St. Sol. (a). 118, 65 (1990)
H.I. Hoffman. Appl. Phys., 19, 307 (1979)
В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, 1979)
Z. Su, A. Husain, J.W. Farmer. J. Appl. Phys., 67, 1903 (1990)
Ф.П. Коршунов, В.П. Маркевич, И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин. ФТП, 26, 2006 (1992)
Ю.В. Трубицын, К.Н. Неймарк, И.Ф. Червоный. Высокочистые вещества, вып. 3, 129 (1989)
B.O. Kolbsen, A. Muhlbener. Sol. St. Electron., 25, 759 (1982)
I.I. Kolkovskii, P.F. Lugakov, V.V. Shusha. Phys. St. Sol. (a), 127, 103 (1991)
П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 17, 1601 (1983)
И.И. Колковский, П.Ф. Лугаков, В.В. Шуша. Изв. вузов. Физика, 31, 128 (1988)
И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, 1974)
В.С. Вавилов, В.Б. Глазман, Н.У. Исаев, Б.Н. Мукашев. ФТП, 3, 471 (1974)
А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. ФТП, 25, 1332 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель