Вышедшие номера
Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного и межузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода
Колковский И.И.1, Лукьяница В.В.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Белорусский государственный медицинский институт, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 20 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Исследовались процессы образования основных радиационных дефектов в кремнии (A-, E-центры, комплексы Ci-Cs и Ci-Oi) в бездислокационных кристаллах и кристаллах с низким содержанием дислокаций (ND~=1· 104 см-2) в зависимости от концентрации кислорода NO. Особенности накопления и отжига радиационных дефектов, наблюдаемые в бездислокационном кремнии, интерпретированы с учетом наличия межузельных включений в объеме таких кристаллов. Установлено, что геттерирующие свойства включений сложным образом зависят от концентрации кислорода и максимально выражены при NO~= 3· 1016 см-3.