"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инжекционное усиление фототока в поликристаллических кремниевых p+-n-n+-структурах
Алиев Р.1
1Институт электроники Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 20 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Исследованы процессы инжекционного усиления фототока в структурах типа p+-n-n+, изготовленных на основе поликристаллического кремния, выращенного на подложках из промышленного кремния. Обсуждены вопросы получения инжекционных фотоприемников и других бистабильных элементов с применением alpha-облучения и термообработки.
  1. В.К. Георгиев, Л.И. Попова, Л.Е. Поляк, Л.К. Фионова. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 9, 5 (1990)
  2. М.С. Саидов, Б.М. Абдурахманов, Р. Алиев, А.С. Саидов. ФТП. 30, 128 (1996)
  3. R. Aliev, B.M. Abdurakhmanov, R.R. Bilylov. Interface Sci. (1996)
  4. И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1980)
  5. C.M. Szy. Physics of semiconductor devices (N.Y.--London--Sydney--Toronto, 1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.