Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках

Данишевский А.М.¹, Шуман В.Б.¹, Гук Е.Г.¹, Рогачев А.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 июня 1996 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На пленках SiC, выращенных на кремниевых подложках, получены люминесцирующие пористые слои. В результате электролитического окисления пористых слоев интенсивность фотолюминесценции весьма существенно увеличивается. Спектр импульсной фотолюминесценции представляет собой ряд перекрывающихся полос в диапазоне от 1.8 до 3.3 эВ. Проведенные исследования исходных пленок SiC показали, что они являются нестехиометричными и сильно разупорядоченными, тем не менее интенсивность фотолюминесценции окисленных пористых слоев оказывается значительно более высокой, чем удается получить при соответствующей обработке кристаллов или кристаллических пленок SiC.

J.S. Shor, I. Grimberg, B.Z. Weiss, B.D. Kurtz. Appl. Phys. Lett., 62, 2836 (1993)
T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futaki, H. Mimura, Y. Kanemitsu. Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994)
A.O. Konstantinov, C.I. Harris, E. Yanzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2699 (1994)
J.S. Shor, L. Bemis, A.D. Kurtz, M. Mcmillan, W.J. Choyke, I. Grimberg, B.Z. Weiss. In: Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asifkhan, R. Kaplan, M. Rahman [Inst. Phys. Conf. Ser, N 137 (IOP, Bristol, 1993) p. 193]
А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 21, 64 (1995)
A.O. Konstantinov, A. Henry, C.I. Harris, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 66, 2250 (1995)
А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, П.А. Иванов. ФТП, 29, 2122 (1995)
А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, Е.Г. Гук, П.А. Иванов, А.А. Мальцев. ФТП, 30, 1064 (1996)
И.М. Баранов, Н.А. Белов, В.А. Дмитриев, Н.Г. Иванова, Т.С. Кондратьева, И.П. Никитина, В.Е. Челноков, В.Ф. Шаталов, Р.Н. Эрлих. Письма ЖТФ, 15, вып. 12, 50 (1989).
Pham. V. Huong. Diamond and Related Mater., 1, 33 (1991)
K.G. Druijf, J.M.M. de Nijs, E. van der Drift, E.H.A. Granneman, P. Bulk. J. Appl. Phys., 78, 306 (1995)
K.G. Druijf, J.M.M. de Nijs, E. van der Drift, E.H.A. Granneman, P. Bulk. J. Appl. Phys., 79, 1505 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель