Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
2Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.
Исследованы туннельные эффекты в спектрах люминесценции и электрических свойствах голубых светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN. Туннельное излучение в области энергий 2.1/ 2.4 эВ преобладает при малых токах (<0.2 мА), его роль растет по мере сдвига максимума основной голубой полосы в коротковолновую область. Положение максимума homegamax приблизительно пропорционально напряжению eU. Форма и интенсивность полосы описываются теорией туннельного излучения. Вольт-амперные характеристики при малых прямых токах имеют туннельную компоненту с показателем EJ=130-140 мэВ. Распределение электрически активных центров выявляет протяженные компенсированные слои в n- и p-областях, прилегающих к активному слою, и указывает на наличие заряженных стенок на границах гетеропереходов. В активной области InGaN существенно сильное электрическое поле. Обсуждается энергетическая диаграмма структур.1
- A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyachin, A.N. Turkin, K.G. Zolina. Abstracts of Mat. Res. Soc. Fall Meeting 1996, Sympos. N (Boston, USA, 1996) Abstr. N 9--37, p. 347
- K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. MRS Int. J. Nitride Semic. Res., 1/11; http: nsr.mij.mrs.org 1 11
- A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyachin, A.N. Turkin, K.G. Zolina, A.E. Yunovich. Abstracts 23rd Int. Symp. on Semiconductor Compounds (St.Perersburg, 1996) Abstr. 03.P3.04
- К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31 (1997)
- А.Э. Юнович, А.Б. Ормонт. ЖЭТФ, 51, 1292 (1966)
- T.N. Morgan. Phys. Rev., 148, 890 (1966)
- S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., 34, Part 2, L1332 (1995)
- Ф.И. Маняхин. Измер. техника, 11, 49 (1996)
- J. Zeller, P.G. Eliseev, P. Sartori, P. Perlin, M. Osinski. MRS Symp. Proc., 395, 937 (1996)
- A. Satta, V. Fiorentini, A. Bosin, F. Meloni. MRS Symp. Proc., 395, 515 (1996)
- U. Kaufmann, M. Kunser, C. Mers, I. Akasaki, H. Amano. MRS Symp. Proc., 395, 633 (1996)
- D.M. Hoggmann, D. Kovalev, G. Steude, D. Volm, B.K. Meyer, C. Xavier, T.Momteiro, E. Pereira, E.N. Mokhov, H. Amano, I. Akasaki. MRS Symp. Proc., 395, 619 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
