Реконструкция мелких доноров в кристаллах GaAs-Ga_1-xAl_xAs, сопровождающаяся образованием глубоких катионных DX-центров, впервые рассматривается в кластерном приближении с помощью самосогласованного метода рассеянных волн. Демонстрируется, что образование DX^--состояния C_3v-симметрии может быть обусловлено отличием электронной структуры мелкого донора от структуры атома решетки, которое является причиной перехода примесного атома в ближайшее тетраэдрическое междоузлие. Предлагаемая модель катионных DX-центров основана на принципиальной возможности локализации двух антисвязывающих электронов на разрыхляющей орбитали одной из четырех тетраэдрических связей примесного центра с лигандами мышьяка, что приводит к ее значительному ослаблению и соответствующему образованию тригонального DX^--состояния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.