"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства тонких эпитаксиальных слоев n-Pb1-xSnxSe/BaF2 в области плазмон-фононного взаимодействия
Копылов А.А.1, Мошников В.А.1, Холодилов А.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Исследованы спектры оптического отражения и пропускания субмикронных эпитаксиальных слоев Pb1-xSnxSe/BaF2 с составами в диапазоне x=0.04-0.21. По результатам моделирования формы спектров определены параметры электронной плазмы. Оценен межзонный вклад в диэлектрическую функцию Pb1-xSnxSe.
  1. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968)
  2. И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)
  3. H. Preier. Appl. Phys., 20, 189 (1979)
  4. А.В. Махин, Д.А. Яськов. Изв. ЛЭТИ, вып. 414, 97 (1989)
  5. В.А. Васильев, П.Е. Дышловенко, А.А. Копылов, А.Н. Холодилов. ПТЭ, N 5, 174 (1990)
  6. А.Г. Белов, Е.П. Рашевская. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, 19, N 2, 10 (1978)
  7. И.В. Кучеренко, Ю.А. Митягин, Л.К. Водопьянов, А.П. Шотов. ФТП, 11, 488 (1977)
  8. M. Grynberg, R.Le Toullec, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 9, 517 (1974)
  9. Т.С. Гертович, С.И. Гринева, В.Г. Гуцуляк, В.Б. Орлецкий, К.Д. Товстюк, С.А. Храмцова. Укр. физ. журн., 25, 1369 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.