Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Басс Ф.Г.
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Царенков Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вагидов Н.З.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Малкович Р.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
2
Кибис О.В.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Давидюк Г.Е.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Шаварова А.П.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Корольков В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильяшенко И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Б.
Институт физики ионных пучков и исследования материалов Исследовательского центра, г.Россендорф, Дрезден, Германия,
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шаймеев С.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Юнусов М.С.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Ахмадалиев А.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Подливаев А.И.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ушаков А.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Радчук Н.Б.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Штеренгас Р.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Рывкин Б.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Глазов В.М.
Московский государственный институт электронной техники, (технический университет),, Москва, Россия
2
Горнушкина Е.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Шангина Е.Л.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Павелец А.М.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Павелец С.Ю.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Пахомов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. М.И.Мечникова, Одесса, Украина
2
Бурбаев Т.М.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Курбатов В.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковалев Д.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гук Е.Г.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина,, Москва, Россия
2
Бабенцов В.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Васько Ф.Т.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Стриха М.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический интситут им. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический интситут им. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Боднарь И.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Голубок А.О.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Типисев С.Я.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубрилов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Снегов Ф.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сыркин А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Булат Л.П.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Закордонец В.С.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Гуртовой В.Л.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Шаповал С.Ю.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Мастеров В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Лукашевич П.Г.
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
2
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Образцов А.Н.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Акимов Б.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Албул А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Царенков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емцев В.В.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
2
Шаповалова А.И.
Волгоградский государственный педагогический университет,, Волгоград, Россия
1
Сысоев Б.И.
Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
1
Кирица В.Л.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Ковальчук В.Б.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Яманов И.Л.
Кубанский государственный университет, Краснодар
1
Свиридов В.В.
Воронежский государственный педагогический институт,, Воронеж, Россия
1
Литовченко В.Г.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Мисиук А.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Жевняк О.Г.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
1
Комаров Ф.Ф.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
1
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шенгуров Д.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Кесаманлы Ф.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кравченко Л.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Ильин И.Ю.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Морозова В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Семененя Т.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Гольберг Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Поссе Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ильин В.И.
Государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Рабизо О.В.
Государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Шагимуратов О.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
1
Шикина Ю.В.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
1
Малкина И.Г.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Сафьянов Ю.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Мирлин Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ксие И.Х.
AT&T Bell Labs, Murray Hill, NJ USA
1
Германенко И.Н.
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Букивский П.Н.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Гнатенко Ю.П.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Кучеренко И.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Руднев И.А.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
1
Богомолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Павлова Т.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зайцев В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Федоров М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дмитриев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Емельянов С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мильвидская А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мильвидский М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шубина Т.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Санин А.Л.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Ермолаев Ю.Л.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Крещук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кипшидзе Г.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Щербина Б.В.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Майнер К.
Bell-Northen Research, Оттава, Канада
1
Тагиев Б.Г.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Тагиев О.Б.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Добровольский В.Н.
Киевский университет,, Киев, Украина
1
Романов А.В.
Киевский университет,, Киев, Украина
1
Цях Р.
Институт физики Высшей педагогической школы, 35--310 Жешув, Польша
1
Бедный Б.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Лангер Ежи М.
Институт физики полупроводников Польской Академии наук, 02-668 Варшава, Польша Государственный оптический институт им. С.И.Вавилова,, Санкт-Петербург, Россия
1
Баранов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Бояркина Н.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Губанов В.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Гальчинецкий Л.П.
Московский энергетический институт (Технический университет),, Москва, Россия
1
Средин В.Г.
Военная академия им. Ф.Э.Дзержинского,, Москва, Россия
1
Укроженко В.М.
Военная академия им. Ф.Э.Дзержинского,, Москва, Россия
1
Тулупенко В.Н.
Донбасская государственная машиностроительная академия,, Краматорск, Украина
1
Фирсов В.А.
Донбасская государственная машиностроительная академия,, Краматорск, Украина
1
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Аронзон Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Баширов Р.Р.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Елизаров В.А.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Кухарская Н.Ф.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
1
Маркин Ю.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
1
Марьянчук П.Д.
Московский государственный университет,, Москва, Россия
1
Чурилов И.А.
Московский государственный университет,, Москва, Россия
1
Аверков Ю.О.
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
1
Панчеха А.П.
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
1
Тлакзала М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кашерининов П.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чайкина Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шалынин А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Преображенский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Семягин Б.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук