Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10651
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
150
Распределение количества просмотров по годам:
640529
602108
581787
518973
447832
429593
396409
351706
430174
542417
537159
491460
490637
498679
481968
498048
518015
528478
462933
492273
461179
589993
601357
592106
564683
611688
615344
592761
564566
529637
428923
323367
193576
101356
10955
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
685
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
277
270
295
249
323
261
155

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1995 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Басс Ф.Г.
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Царенков Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вагидов Н.З.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Малкович Р.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
2
Кибис О.В.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Давидюк Г.Е.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Шаварова А.П.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Корольков В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильяшенко И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Б.
Институт физики ионных пучков и исследования материалов Исследовательского центра, г.Россендорф, Дрезден, Германия,
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шаймеев С.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Юнусов М.С.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Ахмадалиев А.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Подливаев А.И.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ушаков А.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Радчук Н.Б.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Штеренгас Р.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Рывкин Б.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Глазов В.М.
Московский государственный институт электронной техники, (технический университет),, Москва, Россия
2
Горнушкина Е.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Шангина Е.Л.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Павелец А.М.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Павелец С.Ю.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Пахомов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. М.И.Мечникова, Одесса, Украина
2
Бурбаев Т.М.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Курбатов В.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковалев Д.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гук Е.Г.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина,, Москва, Россия
2
Бабенцов В.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Васько Ф.Т.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Стриха М.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический интситут им. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический интситут им. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Боднарь И.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Голубок А.О.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Типисев С.Я.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубрилов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Снегов Ф.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сыркин А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Булат Л.П.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Закордонец В.С.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Гуртовой В.Л.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Шаповал С.Ю.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Мастеров В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Лукашевич П.Г.
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
2
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Образцов А.Н.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Акимов Б.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Албул А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Царенков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емцев В.В.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
2
Пенин Н.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Курмашев Ш.Д.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
1
Бабич В.М.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Барышев М.Г.
Кубанский государственный университет, Краснодар
1
Михрин С.Б.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Саморуков Б.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Кондрашов В.Е.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
1
Стусь М.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Талалакин Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Вейс А.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Суворова Н.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Витусевич С.А.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Топчий А.Н.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
1
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Каримов И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чичикалюк Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Юсупова Ш.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Плотников А.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сингаевский А.Ф.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ахлестина С.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Сабиров С.С.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,, Ташкент, Узбекистан
1
Яркин Д.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Китык И.В.
Ужгородский государственный университет,, Ужгород, Украина
1
Фенчак В.Ю.
Ужгородский государственный университет,, Ужгород, Украина
1
Хабибуллин И.Г.
Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия
1
Закирова Э.А.
Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия
1
Сурис Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Регель А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гольцман Б.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Данилов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чугай О.Н.
Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
1
Подоксик Э.Е.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
1
Кязимзаде Р.З.
Азербайджанская государственная нефтяная академия,, Баку, Азербайджан
1
Одноблюдов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Тове Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Лугаков П.Ф.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко,, Минск, Беларусь
1
Аникин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ларионова В.А.
Институт физики и прикладной математики при Уральском государственном университете,, Екатеринбург, Россия
1
Рут О.Э.
Институт физики и прикладной математики при Уральском государственном университете,, Екатеринбург, Россия
1
Харциев В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дричко И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лабутин О.А.
Научно-исследовательский институт ''Полюс'',, Москва, Россия
1
Тарасов А.В.
Научно-исследовательский институт ''Полюс'',, Москва, Россия
1
Аскаров Ш.И.
Ташкентский государственный технический университет им. А.Р.Беруни,, Ташкент, Республика Узбекистан
1
Наркулов Н.
Ташкентский государственный технический университет им. А.Р.Беруни,, Ташкент, Республика Узбекистан
1
Поцяск М.
Институт физики Высшей педагогической школы, 35--310 Жешув, Польша
1
Шерегий Е.
Институт физики Высшей педагогической школы, 35--310 Жешув, Польша
1
Руссу Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Морозов С.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Ханин Ю.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Морозова Н.К.
Московский энергетический институт (Технический университет),, Москва, Россия
1
Назарова Л.Д.
Московский энергетический институт (Технический университет),, Москва, Россия
1
Шиндич В.Л.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Шпинар Л.И.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Жихарев В.А.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук,, Казань, Россия
1
Хайбуллин И.Б.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук,, Казань, Россия
1
Антипов В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Меркулов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Никишин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бобылев Б.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Компан М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дукин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Аркадьев В.Ю.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
1
Шаповалов В.П.
Запорожский государственный технический университет, Запорожье, Украина
1
Грядун В.И.
Запорожский государственный технический университет, Запорожье, Украина
1
Матешвили Н.Ю.
Тбилисский государственный университет им. И.А. Джавахишвили,, Тбилиси, Республика Грузия
1
Штурбин А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Ежевский А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Машин А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Хохлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Черенков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Матвеева А.Б.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Долгих Н.И.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
1
Халлер Е.Е.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
90
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
14
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
12
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
8
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
6
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
2
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Азербайджанская государственная нефтяная академия,, Баку, Азербайджан
2
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
2
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Волгоградский государственный педагогический университет,, Волгоград, Россия
1
Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
1
Наманганский индустриально-технологический институт,3, Наманган, Узбекистан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
1
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Кубанский государственный университет, Краснодар
1
Воронежский государственный педагогический институт,, Воронеж, Россия
1
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
1
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
1
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочисных материалов Российской академии наук,, Черноголовка, Россия
1
Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
1
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Государственный университет ''Львовская политехника'',, Львов, Украина
1
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
1
Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алматы, Казахстан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
1
Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова,, Москва, Россия
1
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
1
Институт общей и неорганической химии Российской академии наук, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников и Литовское отделение Всемирной лаборатории Международного центра научной культуры,, Вильнюс, Литва
1
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
1
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1