"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10051
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
85

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1995 год:
Статья
Просмотров
Фотоэлектрические свойства контакта полупроводников с зелеными листьями
13
Люминесцентные и структурные исследования монокристаллов GaSb, выращенных из нестехиометрических расплавов
13
Эффект фотопамяти в высокоомных фоточувствительных монокристаллах CdS : Cu
13
Переход металл--диэлектрик в сильно легированных p+-квантовых ямах на поверхности кремния n-типа
12
Релаксация заряда в кремнии на границах зерен, обогащенных кислородом и углеродом
12
Аналитическая модель распространения фронта ударной ионизации в диодной структуре большой площади
12
Взаимодействие атомной и электронно-дырочной подсистем и роль точечных дефектов при диффузии в полупроводниках
12
Светоуправляемые электрические поля в высокоомной МДПДМ структуре с туннельно-прозрачным диэлектриком
12
Жидкие полупроводники с вырожденным электронным газом
11
Влияние флуктуаций состава на кинетику дислокаций в пленках твердых растворов полупроводников
11
Температурная зависимость показателя преломления Cd xHg 1- xTe
11
Влияние кулоновского взаимодействия на термическую энергию ионизации основной примеси в компенсированном Ge:Ga
11
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (К 80-летию со дня рождения)
11
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны GaAs
11
Проблемы микроэлектроники (1. Диффузия. 2. Дефектообразование. 3. Деградация)
11
О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость Cd xHg 1- xTe ( x~= 0.3)
11
Визуализация крупномасштабных скоплений электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия и арсенида галлия
11
Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формировании захороненных слоев
11
Эволюция примесно-дефектной системы нелегированного CdTe n- и p-типa при комнатной температуре
11
Формирование структуры газочувствительных слоев диоксида олова, полученных реактивным магнетронным распылением
11
Статья
Просмотров
Поляроны малого радиуса. Явления переноса
1166
Предельная термоэлектрическая добротность полупроводниковых кристаллических материалов
1029
Исследование параметров, характеризующих электронно-дырочное рассеяние в полупроводниках в условиях низкого уровня инжекции
1011
Взаимодействие атомной и электронно-дырочной подсистем и роль точечных дефектов при диффузии в полупроводниках
975
Исследование структуры поверхности пористого кремния методом ядерного магнитного резонанса
973
Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом
959
Эволюция примесно-дефектной системы нелегированного CdTe n- и p-типa при комнатной температуре
944
Влияние ионного облучения на диффузию золота в кремнии
939
Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии
932
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
932
Возбужденные состояния серы и селена в германии
929
Температурная зависимость показателя преломления Cd xHg 1- xTe
929
Переход металл--диэлектрик в сильно легированных p+-квантовых ямах на поверхности кремния n-типа
922
Трехмерные кластерные решетки
919
Нестационарная теория возмущений для задач о прохождении электронов через квантово-размерные структуры в высокочастотных полях
915
Формирование структуры газочувствительных слоев диоксида олова, полученных реактивным магнетронным распылением
914
Холл-фактор электронов в кристаллах Ge 1-xSix при рассеянии на фононах и сплавном потенциале
911
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs (001) с использованием гидразина
909
Короткозамкнутый полупроводниковый термомеханический преобразователь энергии
909
Экспериментальное изучение влияния одноосного давления на эффекты горячих дырок в p-германии в продольных электрических полях
907
Влияние кулоновского взаимодействия на термическую энергию ионизации основной примеси в компенсированном Ge:Ga
903
Дальняя инфракрасная фотопроводимость кремния, облученного быстрыми нейтронами
902
Фотолюминесценция легированных разнесенных сверхрешеток GaAs/Al xGa1- xAs
898
Рекомбинационные свойства имплантированных ионами I, III и VIII групп и термически отожженных кристаллов Cd xHg 1- xTe
892
Комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция пористого кремния
891
Трансформация радиационных дефектов и их скопление при имплантации ионов B+ в кремнии
890
Кремниевый двухколлекторный n-p-n-тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе
889
Фотоэлектрические явления в структурах на высокоомных полупроводниковых кристаллах с тонким слоем диэлектрика на границе полупроводник--металл
889
Уровни энергий в квантовой яме с прямоугольными стенками сложной формы
889
Энтропия плавления полупроводников
888
Прямой и обратный ток p-n-структур на основе 6 H-SiC, изготовленных бесконтейнерной жидкостной эпитаксией
888
Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов n-ZnSe, легированных иттербием
886
Кинетика фотопроводимости PbTe(Ga)
883
Светоизлучающие структуры Si : Er. Технология и физические свойства О б з о р
881
Изучение спектральной катодолюминесценции квантовых ям в гетероструктурах на основе A IIIB V с помощью акустооптического монохроматора
881
Явление поверхностной сегрегации основных компонентов твердого раствора A IIIB V и сегрегационный приповерхностный гетеропереход в GaAlAs
881
О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость Cd xHg 1- xTe ( x~= 0.3)
880
Поляризация сверхлюминесценции и анизотропия оптических потерь в волноводной структуре InGaP/GaAs/InGaP
879
Получение халькопиритных пленок CuGa xIn 1- xSe2 импульсным лазерным испарением
875
Примесный фоторезистор в режиме импульсного оптического гетеродинирования
873
Получение методом сублимации легированных пленок поликристаллического кремния
871
Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A III 2B VI 3 (110)
869
Оптические и электрические свойства сверхрешеток Фибоначчи PbS--C, полученных методом импульсного лазерного напыления
868
Проблемы микроэлектроники (1. Диффузия. 2. Дефектообразование. 3. Деградация)
866
Излучательная рекомбинация в монокристаллах селенида цинка, активированных кислородом
864
Экспериментальное определение энергии донорных центров, локализованных на границах квантовой ямы GaSb/InAs/GaSb
862
О фотолюминесценции пленок a-Si : H, легированных редкоземельными элементами
862
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (К 80-летию со дня рождения)
861
Квантовый эффект Холла в образце нестандартной геометрии
859
Времена жизни и диффузионные длины неравновесных носителей заряда в SiC p- n-структурах
857
Автор
Организация
Статей
Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Басс Ф.Г.
Волгоградский государственный педагогический университет,, Волгоград, Россия
4
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вагидов Н.З.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Малкович Р.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Царенков Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шмидт Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Закордонец В.С.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Курбатов В.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
2
Сыркин А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емцев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Подливаев А.И.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Юнусов М.С.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,, Ташкент, Узбекистан
2
Образцов А.Н.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Царенков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
90
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
14
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
12
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
6
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Новосибирский государственный технический университет,, Новосибирск, Россия
2
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
2
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Азербайджанская государственная нефтяная академия,, Баку, Азербайджан
2
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,, Москва, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
2
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Волгоградский государственный педагогический университет,, Волгоград, Россия
1
Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
1
Наманганский индустриально-технологический институт,3, Наманган, Узбекистан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
1
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Кубанский государственный университет, Краснодар
1
Воронежский государственный педагогический институт,, Воронеж, Россия
1
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
1
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
1
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочисных материалов Российской академии наук,, Черноголовка, Россия
1
Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
1
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Государственный университет ''Львовская политехника'',, Львов, Украина
1
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
1
Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алматы, Казахстан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
1
Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова,, Москва, Россия
1
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
1
Институт общей и неорганической химии Российской академии наук, Москва, Россия
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова., Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников и Литовское отделение Всемирной лаборатории Международного центра научной культуры,, Вильнюс, Литва
1

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme