Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Басс Ф.Г.
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Царенков Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вагидов Н.З.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Малкович Р.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
2
Кибис О.В.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Давидюк Г.Е.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Шаварова А.П.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Корольков В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильяшенко И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Б.
Институт физики ионных пучков и исследования материалов Исследовательского центра, г.Россендорф, Дрезден, Германия,
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шаймеев С.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Юнусов М.С.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Ахмадалиев А.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Подливаев А.И.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ушаков А.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Радчук Н.Б.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Штеренгас Р.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Рывкин Б.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Глазов В.М.
Московский государственный институт электронной техники, (технический университет),, Москва, Россия
2
Горнушкина Е.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Шангина Е.Л.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Павелец А.М.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Павелец С.Ю.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Пахомов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. М.И.Мечникова, Одесса, Украина
2
Бурбаев Т.М.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Курбатов В.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковалев Д.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гук Е.Г.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина,, Москва, Россия
2
Бабенцов В.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Васько Ф.Т.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Стриха М.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический интситут им. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический интситут им. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Боднарь И.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Голубок А.О.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Типисев С.Я.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубрилов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Снегов Ф.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сыркин А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Булат Л.П.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Закордонец В.С.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Гуртовой В.Л.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Шаповал С.Ю.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Мастеров В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Лукашевич П.Г.
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
2
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Образцов А.Н.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Акимов Б.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Албул А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Царенков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емцев В.В.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
2
Пенин Н.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Курмашев Ш.Д.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
1
Бабич В.М.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Барышев М.Г.
Кубанский государственный университет, Краснодар
1
Михрин С.Б.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Саморуков Б.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Кондрашов В.Е.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
1
Стусь М.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Талалакин Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Вейс А.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Суворова Н.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Витусевич С.А.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Топчий А.Н.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
1
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Каримов И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чичикалюк Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Юсупова Ш.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Плотников А.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сингаевский А.Ф.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ахлестина С.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Сабиров С.С.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,, Ташкент, Узбекистан
1
Яркин Д.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Китык И.В.
Ужгородский государственный университет,, Ужгород, Украина
1
Фенчак В.Ю.
Ужгородский государственный университет,, Ужгород, Украина
1
Хабибуллин И.Г.
Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия
1
Закирова Э.А.
Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия
1
Сурис Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Регель А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гольцман Б.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Данилов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чугай О.Н.
Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
1
Подоксик Э.Е.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
1
Кязимзаде Р.З.
Азербайджанская государственная нефтяная академия,, Баку, Азербайджан
1
Одноблюдов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Тове Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Лугаков П.Ф.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко,, Минск, Беларусь
1
Аникин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ларионова В.А.
Институт физики и прикладной математики при Уральском государственном университете,, Екатеринбург, Россия
1
Рут О.Э.
Институт физики и прикладной математики при Уральском государственном университете,, Екатеринбург, Россия
1
Харциев В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дричко И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лабутин О.А.
Научно-исследовательский институт ''Полюс'',, Москва, Россия
1
Тарасов А.В.
Научно-исследовательский институт ''Полюс'',, Москва, Россия
1
Аскаров Ш.И.
Ташкентский государственный технический университет им. А.Р.Беруни,, Ташкент, Республика Узбекистан
1
Наркулов Н.
Ташкентский государственный технический университет им. А.Р.Беруни,, Ташкент, Республика Узбекистан
1
Поцяск М.
Институт физики Высшей педагогической школы, 35--310 Жешув, Польша
1
Шерегий Е.
Институт физики Высшей педагогической школы, 35--310 Жешув, Польша
1
Руссу Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Морозов С.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Ханин Ю.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Морозова Н.К.
Московский энергетический институт (Технический университет),, Москва, Россия
1
Назарова Л.Д.
Московский энергетический институт (Технический университет),, Москва, Россия
1
Шиндич В.Л.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Шпинар Л.И.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Жихарев В.А.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук,, Казань, Россия
1
Хайбуллин И.Б.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук,, Казань, Россия
1
Антипов В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Меркулов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Никишин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бобылев Б.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Компан М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дукин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Аркадьев В.Ю.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
1
Шаповалов В.П.
Запорожский государственный технический университет, Запорожье, Украина
1
Грядун В.И.
Запорожский государственный технический университет, Запорожье, Украина
1
Матешвили Н.Ю.
Тбилисский государственный университет им. И.А. Джавахишвили,, Тбилиси, Республика Грузия
1
Штурбин А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Тлакзала М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кашерининов П.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кичаев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чайкина Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шалынин А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Преображенский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Семягин Б.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук