"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9784
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
127

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1995 год:
Статья
Просмотров
Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO 2--SiC путем анализа входной комплексной проводимости МОП структуры в широком температурном интервале
19
Влияние нелинейности упругих сил и зарядового состояния на тип равновесных искажений дефектов с t 2-симметрией исходного электронного уровня
17
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны GaAs
17
Фототок в структуре AlGaAs/GaAs с затвором Шоттки, содержащей одиночную квантовую яму
17
Трансформация радиационных дефектов и их скопление при имплантации ионов B+ в кремнии
17
Уровни энергий в квантовой яме с прямоугольными стенками сложной формы
16
Рассеяние дырок на фононах в ферромагнитном полупроводнике HgCr 2Se 4
16
Юбилеи и даты Юрас Пожела (к 70-летию со дня рождения)
16
Барьерная термоэдс на p-n-переходе
16
Энергетический спектр Pb0.995- ySn0.005Na ySe по данным оптического поглощения
16
Влияние имплантации Si+ на свойства аморфного гидрированного кремния
15
Поляроны малого радиуса. Явления переноса
15
Влияние поверхностного потенциала на комбинационное рассеяние света в фосфиде индия
15
Механизм увеличения интенсивности f-f-люминесценции в полупроводниках
15
Поверхностно-барьерные структуры CdS с промежуточным тонким варизонным слоем
15
Особенности деградации полуизолирующего арсенида галлия при термообработках
15
Особенности динамической локализации электрона -1mmв квантовой полупроводниковой сверхрешетке в быстропеременном электромагнитном и постоянном магнитном полях
15
Глубокие центры в монокристаллах сульфида кадмия: новый метод сопоставления данных DLTS различных авторов
15
Дефектообразование в поверхностной области кремния при его термическом окислении
14
Исследование параметров, характеризующих электронно-дырочное рассеяние в полупроводниках в условиях низкого уровня инжекции
14
Статья
Просмотров
Поляроны малого радиуса. Явления переноса
919
Предельная термоэлектрическая добротность полупроводниковых кристаллических материалов
830
Исследование параметров, характеризующих электронно-дырочное рассеяние в полупроводниках в условиях низкого уровня инжекции
814
Исследование структуры поверхности пористого кремния методом ядерного магнитного резонанса
772
Влияние ионного облучения на диффузию золота в кремнии
771
Взаимодействие атомной и электронно-дырочной подсистем и роль точечных дефектов при диффузии в полупроводниках
759
Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом
758
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
736
Температурная зависимость показателя преломления Cd xHg 1- xTe
735
Эволюция примесно-дефектной системы нелегированного CdTe n- и p-типa при комнатной температуре
733
Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов n-ZnSe, легированных иттербием
730
Комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция пористого кремния
729
Нестационарная теория возмущений для задач о прохождении электронов через квантово-размерные структуры в высокочастотных полях
726
Короткозамкнутый полупроводниковый термомеханический преобразователь энергии
724
Возбужденные состояния серы и селена в германии
723
Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии
722
Холл-фактор электронов в кристаллах Ge 1-xSix при рассеянии на фононах и сплавном потенциале
722
Экспериментальное изучение влияния одноосного давления на эффекты горячих дырок в p-германии в продольных электрических полях
721
Фотолюминесценция легированных разнесенных сверхрешеток GaAs/Al xGa1- xAs
718
Кремниевый двухколлекторный n-p-n-тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе
715
Формирование структуры газочувствительных слоев диоксида олова, полученных реактивным магнетронным распылением
715
Получение методом сублимации легированных пленок поликристаллического кремния
712
Переход металл--диэлектрик в сильно легированных p+-квантовых ямах на поверхности кремния n-типа
711
Уровни энергий в квантовой яме с прямоугольными стенками сложной формы
708
Дальняя инфракрасная фотопроводимость кремния, облученного быстрыми нейтронами
708
Влияние кулоновского взаимодействия на термическую энергию ионизации основной примеси в компенсированном Ge:Ga
707
Трехмерные кластерные решетки
706
Фотоэлектрические явления в структурах на высокоомных полупроводниковых кристаллах с тонким слоем диэлектрика на границе полупроводник--металл
705
Получение халькопиритных пленок CuGa xIn 1- xSe2 импульсным лазерным испарением
703
Прямой и обратный ток p-n-структур на основе 6 H-SiC, изготовленных бесконтейнерной жидкостной эпитаксией
703
Примесный фоторезистор в режиме импульсного оптического гетеродинирования
701
Оптические и электрические свойства сверхрешеток Фибоначчи PbS--C, полученных методом импульсного лазерного напыления
700
Поляризация сверхлюминесценции и анизотропия оптических потерь в волноводной структуре InGaP/GaAs/InGaP
691
Гетеропереходы II типа GaInAsSb/InAs
691
Излучательная рекомбинация в монокристаллах селенида цинка, активированных кислородом
691
Явление поверхностной сегрегации основных компонентов твердого раствора A IIIB V и сегрегационный приповерхностный гетеропереход в GaAlAs
689
Рекомбинационные свойства имплантированных ионами I, III и VIII групп и термически отожженных кристаллов Cd xHg 1- xTe
687
О фотолюминесценции пленок a-Si : H, легированных редкоземельными элементами
686
Экспериментальное определение энергии донорных центров, локализованных на границах квантовой ямы GaSb/InAs/GaSb
685
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs (001) с использованием гидразина
683
Трансформация радиационных дефектов и их скопление при имплантации ионов B+ в кремнии
683
Токоперенос в МДП структурах Pd--SiO 2--n(p)-Si и второй механизм усиления фототока
680
Квантовый эффект Холла в образце нестандартной геометрии
677
Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO 2--SiC путем анализа входной комплексной проводимости МОП структуры в широком температурном интервале
676
Энтропия плавления полупроводников
675
О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость Cd xHg 1- xTe ( x~= 0.3)
674
Дефектообразование в поверхностной области кремния при его термическом окислении
673
Барьерная термоэдс на p-n-переходе
672
Проблемы микроэлектроники (1. Диффузия. 2. Дефектообразование. 3. Деградация)
669
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (К 80-летию со дня рождения)
669
Автор
Организация
Статей
Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Басс Ф.Г.
Волгоградский государственный педагогический университет,, Волгоград, Россия
4
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Царенков Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
3
Малкович Р.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вагидов Н.З.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Радчук Н.Б.
Государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шаварова А.П.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кибис О.В.
Новосибирский государственный технический университет,, Новосибирск, Россия
2
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стриха М.В.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Штеренгас Р.М.
Государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Емцев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуртовой В.Л.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочисных материалов Российской академии наук,, Черноголовка, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт,3, Наманган, Узбекистан
2
Царенков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
90
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
14
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
12
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
6
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
3
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Новосибирский государственный технический университет,, Новосибирск, Россия
2
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
2
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Азербайджанская государственная нефтяная академия,, Баку, Азербайджан
2
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,, Москва, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
2
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Волгоградский государственный педагогический университет,, Волгоград, Россия
1
Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
1
Наманганский индустриально-технологический институт,3, Наманган, Узбекистан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
1
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Кубанский государственный университет, Краснодар
1
Воронежский государственный педагогический институт,, Воронеж, Россия
1
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
1
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
1
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочисных материалов Российской академии наук,, Черноголовка, Россия
1
Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
1
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Государственный университет ''Львовская политехника'',, Львов, Украина
1
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
1
Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алматы, Казахстан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
1
Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова,, Москва, Россия
1
Санкт-Петербургский электротехнический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
1
Институт общей и неорганической химии Российской академии наук, Москва, Россия
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова., Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников и Литовское отделение Всемирной лаборатории Международного центра научной культуры,, Вильнюс, Литва
1
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme