Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Басс Ф.Г.
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Царенков Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вагидов Н.З.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Малкович Р.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
2
Кибис О.В.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Давидюк Г.Е.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Шаварова А.П.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Корольков В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильяшенко И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Б.
Институт физики ионных пучков и исследования материалов Исследовательского центра, г.Россендорф, Дрезден, Германия,
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шаймеев С.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Юнусов М.С.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Ахмадалиев А.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Подливаев А.И.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ушаков А.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Радчук Н.Б.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Штеренгас Р.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Рывкин Б.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Глазов В.М.
Московский государственный институт электронной техники, (технический университет),, Москва, Россия
2
Горнушкина Е.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Шангина Е.Л.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Павелец А.М.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Павелец С.Ю.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Пахомов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. М.И.Мечникова, Одесса, Украина
2
Бурбаев Т.М.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Курбатов В.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковалев Д.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гук Е.Г.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина,, Москва, Россия
2
Бабенцов В.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Васько Ф.Т.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Стриха М.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический интситут им. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический интситут им. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Боднарь И.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Голубок А.О.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Типисев С.Я.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубрилов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Снегов Ф.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сыркин А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Булат Л.П.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Закордонец В.С.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Гуртовой В.Л.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Шаповал С.Ю.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Мастеров В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Лукашевич П.Г.
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
2
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Образцов А.Н.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Акимов Б.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Албул А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Царенков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емцев В.В.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
2
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лебедев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Румянцев С.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бычковский Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Киреев В.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочисных материалов Российской академии наук,, Черноголовка, Россия
1
Смирнов Н.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочисных материалов Российской академии наук,, Черноголовка, Россия
1
Айдаралиев М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пантелеев В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сосова Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Володин Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
1
Рожков А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Солдатенков Ф.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Астафьев О.В.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Пожела Ю.
Институт физики полупроводников и Литовское отделение Всемирной лаборатории Международного центра научной культуры,, Вильнюс, Литва
1
Юцене В.
Институт физики полупроводников и Литовское отделение Всемирной лаборатории Международного центра научной культуры,, Вильнюс, Литва
1
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Дроздова И.А.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Ембергенов Б.Е.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Яфаев Р.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Караванский В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Касиян В.А.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
1
Недеогло Д.Д.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
1
Истратов А.А.
Научно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете, Санкт-Петербург, Россия
1
Вывенко О.Ф.
Научно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете, Санкт-Петербург, Россия
1
Бегматов К.А.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Манько В.С.
Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия
1
Бобренко Ю.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Иванов Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сванидзе Т.М.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Загоруйко Ю.А.
Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
1
Голуб Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ивченко Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Данилов С.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Калюжная Г.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Осина Т.И.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Хенини М.
Physics Dept., Nottingham University, Nottingham NG7 2RD, UK
1
Верлан В.И.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Деноткин В.Л.
Научно-исследовательский институт ''Полюс'',, Москва, Россия
1
Копылов С.М.
Научно-исследовательский институт ''Полюс'',, Москва, Россия
1
Константинов П.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Максимова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Никоноров Н.В.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
1
Жданович Н.С.
Физикотехнический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
Минарский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Терещенко С.А.
Московский государственный институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Андерсон Т.Г.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Дубровский Ю.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Цолов М.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Грешневикова О.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов Ю.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чураков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сирацкий В.М.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Рахлей С.Ю.
Институт электроники Академии наук Беларуссии,, Минск, Беларуссия
1
Цыпленков И.Н.
Институт электроники Академии наук Беларуссии,, Минск, Беларуссия
1
Дашевский З.М.
Технический университет Молдавии,, Кишинев, Молдавия
1
Касиян А.И.
Технический университет Молдавии,, Кишинев, Молдавия
1
Шестопалова Л.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Король А.Н.
Киевский технологический институт пищевой промышленности, Киев, Украина
1
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кропотов Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Долотов Н.И.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Кузьмин А.Р.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Махин А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Куменков С.Е.
Джамбульский технологический институт,, Джамбул, Казахстан
1
Шкерлин Г.Н.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
1
Терра Ф.С.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Ежевский А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Машин А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Хохлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Черенков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Матвеева А.Б.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Долгих Н.И.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
1
Халлер Е.Е.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук