"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9966
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1995 год:
Статья
Просмотров
Фазовый переход диэлектрик--металл: термодинамический аспект проблемы
15
Поляроны малого радиуса. Явления переноса
14
Физические свойства полуметаллов типа висмута
13
Возбужденные состояния серы и селена в германии
11
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs (001) с использованием гидразина
11
Пространственный заряд инжектированных баллистических электронов с отрицательной эффективной массой
11
Энергетическая оценка фотолитических центров в Ag 2O
10
Фотоэффект в эпитаксиальной p+- n-структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел--металл
10
Явление поверхностной сегрегации основных компонентов твердого раствора A IIIB V и сегрегационный приповерхностный гетеропереход в GaAlAs
9
Влияние температуры роста на подвижность электронов в транзисторных структурах InAlAs/InGaAs, выращенных на подложках InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии
9
Эффект охлаждения, вызываемый отрицательной люминесценцией
9
Короткозамкнутый полупроводниковый термомеханический преобразователь энергии
9
Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом
9
Кремниевый двухколлекторный n-p-n-тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе
9
Предметный указатель к журналу ''Физика и техника полупроводников'' Том 29 за 1995
9
Влияние поверхностного рассеяния на электропроводность тонкой полупроводниковой пленки в квантующем магнитном поле
9
Динамика и резонансные колебания баллистических электронов в неоднородном полупроводнике
9
Фотодеградация пористого кремния при импульсном возбуждении
9
Поперечный электронный транспорт в туннельно-резонансных структурах с двумерными носителями заряда
9
Изучение спектральной катодолюминесценции квантовых ям в гетероструктурах на основе A IIIB V с помощью акустооптического монохроматора
9
Статья
Просмотров
Поляроны малого радиуса. Явления переноса
1099
Предельная термоэлектрическая добротность полупроводниковых кристаллических материалов
976
Исследование параметров, характеризующих электронно-дырочное рассеяние в полупроводниках в условиях низкого уровня инжекции
954
Исследование структуры поверхности пористого кремния методом ядерного магнитного резонанса
915
Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом
906
Взаимодействие атомной и электронно-дырочной подсистем и роль точечных дефектов при диффузии в полупроводниках
906
Влияние ионного облучения на диффузию золота в кремнии
888
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
880
Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии
877
Возбужденные состояния серы и селена в германии
868
Температурная зависимость показателя преломления Cd xHg 1- xTe
864
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs (001) с использованием гидразина
859
Эволюция примесно-дефектной системы нелегированного CdTe n- и p-типa при комнатной температуре
859
Короткозамкнутый полупроводниковый термомеханический преобразователь энергии
857
Экспериментальное изучение влияния одноосного давления на эффекты горячих дырок в p-германии в продольных электрических полях
856
Переход металл--диэлектрик в сильно легированных p+-квантовых ямах на поверхности кремния n-типа
855
Трехмерные кластерные решетки
855
Нестационарная теория возмущений для задач о прохождении электронов через квантово-размерные структуры в высокочастотных полях
854
Дальняя инфракрасная фотопроводимость кремния, облученного быстрыми нейтронами
851
Холл-фактор электронов в кристаллах Ge 1-xSix при рассеянии на фононах и сплавном потенциале
850
Комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция пористого кремния
846
Формирование структуры газочувствительных слоев диоксида олова, полученных реактивным магнетронным распылением
844
Фотолюминесценция легированных разнесенных сверхрешеток GaAs/Al xGa1- xAs
843
Фотоэлектрические явления в структурах на высокоомных полупроводниковых кристаллах с тонким слоем диэлектрика на границе полупроводник--металл
842
Рекомбинационные свойства имплантированных ионами I, III и VIII групп и термически отожженных кристаллов Cd xHg 1- xTe
838
Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов n-ZnSe, легированных иттербием
838
Кремниевый двухколлекторный n-p-n-тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе
837
Влияние кулоновского взаимодействия на термическую энергию ионизации основной примеси в компенсированном Ge:Ga
836
Прямой и обратный ток p-n-структур на основе 6 H-SiC, изготовленных бесконтейнерной жидкостной эпитаксией
835
Изучение спектральной катодолюминесценции квантовых ям в гетероструктурах на основе A IIIB V с помощью акустооптического монохроматора
833
Трансформация радиационных дефектов и их скопление при имплантации ионов B+ в кремнии
832
Уровни энергий в квантовой яме с прямоугольными стенками сложной формы
832
Получение халькопиритных пленок CuGa xIn 1- xSe2 импульсным лазерным испарением
830
Энтропия плавления полупроводников
829
Явление поверхностной сегрегации основных компонентов твердого раствора A IIIB V и сегрегационный приповерхностный гетеропереход в GaAlAs
827
Поляризация сверхлюминесценции и анизотропия оптических потерь в волноводной структуре InGaP/GaAs/InGaP
826
Примесный фоторезистор в режиме импульсного оптического гетеродинирования
825
Оптические и электрические свойства сверхрешеток Фибоначчи PbS--C, полученных методом импульсного лазерного напыления
824
Светоизлучающие структуры Si : Er. Технология и физические свойства О б з о р
823
Получение методом сублимации легированных пленок поликристаллического кремния
820
Кинетика фотопроводимости PbTe(Ga)
818
Проблемы микроэлектроники (1. Диффузия. 2. Дефектообразование. 3. Деградация)
816
О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость Cd xHg 1- xTe ( x~= 0.3)
816
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (К 80-летию со дня рождения)
809
Экспериментальное определение энергии донорных центров, локализованных на границах квантовой ямы GaSb/InAs/GaSb
808
О фотолюминесценции пленок a-Si : H, легированных редкоземельными элементами
808
Гетеропереходы II типа GaInAsSb/InAs
807
Излучательная рекомбинация в монокристаллах селенида цинка, активированных кислородом
805
Времена жизни и диффузионные длины неравновесных носителей заряда в SiC p- n-структурах
800
Барьерная термоэдс на p-n-переходе
800
Автор
Организация
Статей
Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Басс Ф.Г.
Волгоградский государственный педагогический университет,, Волгоград, Россия
4
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Малкович Р.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Царенков Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вагидов Н.З.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Глазов В.М.
Московский государственный институт электронной техники (технический университет),, Москва, Россия
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пахомов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давидюк Г.Е.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ушаков А.Ю.
Государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шаварова А.П.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Радчук Н.Б.
Государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
90
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
14
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
12
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
6
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Новосибирский государственный технический университет,, Новосибирск, Россия
2
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
2
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Азербайджанская государственная нефтяная академия,, Баку, Азербайджан
2
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,, Москва, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
2
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Волгоградский государственный педагогический университет,, Волгоград, Россия
1
Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
1
Наманганский индустриально-технологический институт,3, Наманган, Узбекистан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
1
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Кубанский государственный университет, Краснодар
1
Воронежский государственный педагогический институт,, Воронеж, Россия
1
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
1
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
1
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочисных материалов Российской академии наук,, Черноголовка, Россия
1
Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
1
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Государственный университет ''Львовская политехника'',, Львов, Украина
1
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
1
Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алматы, Казахстан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
1
Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова,, Москва, Россия
1
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
1
Институт общей и неорганической химии Российской академии наук, Москва, Россия
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова., Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников и Литовское отделение Всемирной лаборатории Международного центра научной культуры,, Вильнюс, Литва
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme