"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом
Штурбин А.В.1, Шалыгин В.А.1, Стафеев В.И.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Описан новый метод определения диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников, основанный на бесконтактной регистрации электрических токов, генерируемых в полупроводнике за счет фотомагнитного эффекта. Проведены экспериментальные исследования при температуре 77 K в магнитных полях до 0.2 Тл на объемных образцах (InSb, CdxHg1-xTe) и на эпитаксиальных слоях (CdxHg1-xTe). В условиях поверхностного фотовозбуждения неравновесных носителей заряда максимальная интенсивность генерации электронно-дырочных пар составляла 1019 см-2· с-1. Из анализа полевых и люкс-амперных характеристик фотомагнитного эффекта определены подвижность неосновных носителей заряда, скорость поверхностной рекомбинации, зависимость биполярной диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей от уровня возбуждения. Для InSb и CdxHg1-xTe определены константы оже-рекомбинации.
  1. С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., 1963)
  2. Ю.И. Равич. \it Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение (М., 1967)
  3. А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. \it Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, 1984)
  4. M.C. Chen. J.Appl. Phys., 64, 945 (1988)
  5. A.B. Fedortsov, D.G. Letenko, A.Y. Polyakov, V.I. Stafeev, L.E. Vorobyev. Semicond. Sci. Technol., 9, 69 (1994)
  6. R.A. Laff, H.Y. Fan. Phys. Rev., 121, 53 (1961)
  7. A.P. Beattie, R.W. Cunningham. Phys. Rev., 125, 533 (1962)
  8. A.P. Beattie, R.W. Cunningham. J. Appl. Phys., 35, 353 (1964)
  9. D.L. Polla, S.P. Tobin, M.B. Reine, A.K. Sood. J. Appl. Phys., 52, 5182 (1981)
  10. С.Г. Гасан-Заде, Л.Ф. Прокопчук, Г.А. Шепельский. ФТП, 18, 563 (1984)
  11. А.М. Мухитдинов, В.И. Стафеев. ФТП, 26, 1830 (1992)
  12. А.В. Буянов, С.Г. Гасан-Заде, И.П. Жадько. ФТП, 26, 629 (1992)
  13. С.А. Студеникин, И.А. Панаев, В.Я. Костюченко, Х.-М.З. Торчинов. ФТП, 27, 744 (1993)
  14. \it Таблицы физических величин. Справочник, под ред. И.К. Кикоина (М., 1976)
  15. \it Оптические свойства полупроводников, под ред. Р. Уиллардсона, А. Бира (М., 1970)
  16. J. Tauc. J. Phys. Chem. Sol., 8, 219 (1958)
  17. Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. В кн.: \it Физика соединений AIIBVI (М., 1986)
  18. Л.П. Большаков, А. Наурызбаев, А.С. Филипченко. ФТП, 14, 1712 (1980)
  19. К. Хилсум, А. Роуз-Инс. \it Полупроводники типа A^IIIB^V (М., 1963)
  20. А. Кроткус, А. Плитникас. ФТП, 13, 1230 (1979)
  21. M.Y. Pines, O.M. Stafudd. Infr. Phys., 20, 73 (1980)
  22. H. Bruhns, H. Kruse. Phys. St. Sol. (b), 97, 125 (1980)
  23. Л.Е. Воробьев, В.И. Стафеев, В.А. Шалыгин, А.В. Штурбин. А. с. N 1190241 (1985)
  24. А.В. Штурбин, В.А. Шалыгин. Патент РФ N 2001466 (1993)
  25. В.А. Шалыгин, А.В. Штурбин, В.С. Антюшин. Дефектоскопия, 10, 81 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.