Теоретически рассмотрен термостимулированный ток в n⁺-pi-p-переходе с учетом электрического поля в нейтральном слое pi-области. Этот слой возникает на той стадии релаксации, связанной с термическим опустошением глубокого уровня, когда граница области пространственного заряда перемещается в процессе релаксации внутри pi-области. В слое имеется электрическое поле, обусловленное протеканием тока релаксаци. Задача о термостимулированном токе сведена к дифференциальному уравнению. Выполнены расчеты спектров термостимулированного тока поля и падения напряжения на указанном слое при наличии одного типа глубоких центров. В случае слабого равновесного заполнения глубокого уровня при учете поля имеют место существенные изменения спектра и, в частности, появление двух пиков вместо одного. При изменении приложенного напряжения пики смещаются в противоположном направлении. Получено соотношение между положением низкотемпературного пика и параметрами модели. Высокотемпературный пик может быть сильно смещен к высоким температурам по отношению к наибольшей температуре максимума термостимулированного тока в p-n-переходе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.