"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проблемы микроэлектроники (1. Диффузия. 2. Дефектообразование. 3. Деградация)
Соколов В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.

Диффузионное легирование кремния сопровождается процессами межпримесного взаимодействия, приводящими к образованию в твердом растворе силицидных фаз, существующих в рассматриваемом температурном интервале. Процессы фазообразования вызывают существенные изменения в дефектной структуре кристалла и являются причиной наблюдаемых при диффузии фосфора в кремний ''аномальных'' эффектов. Сформированная в технологическом цикле дефектная структра полупроводникового прибора определяет значения его параметров и характер их изменения в процессе эксплуатации. Показано, что основной причиной деградации является несогласованность кинетики генерации и рекомбинации дефектов, специфичных для выбранных условий эксплуатации. Сделан вывод, что уменьшение размеров активных элементов микроэлектронных устройств и перенос акцента при их проектировании и изготовлении в плоскость анализа процессов формирования дефектной структуры в технологическом цикле позволит существенно увеличить надежность полупроводниковых приборов.
  1. Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (Л., 1961)
  2. Б.И. Болтакс. \it Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., 1972)
  3. Ф.С. Шишияну. \it Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах (Кишенев, 1978)
  4. Т.Д. Джафаров. \it Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах (Л., 1978)
  5. J. Hirvonen, A. Anttila. Appl. Phys. Lett., 39, 703 (1979)
  6. G. Masetti, S. Solmi, G. Songini. Sol. St. Electron., 19, 545 (1976)
  7. E.L. Williams. J. Electrochem. Soc., 108, 795 (1961)
  8. R.N. Ghoshtagore. Phys. Rev. B, 3, 389 (1971)
  9. G.L. Vick, K.M. Whittle. J. Electrochem. Soc., 116, 1142 (1969)
  10. В.И. Соколов. В сб.: \it Проблемы электронного материаловедения (Новосибирск, 1986) с. 90
  11. В.М. Глазов, В.Н. Вигдорчик. \it Микротвердость металлов и полупроводников (М., 1969)
  12. I. Yonenaga, K. Sumino. Japan. J. Appl. Phys., 21, 47 (1982)
  13. К. Рейви. \it Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., 1984)
  14. М.Г. Мильвидский, Л.В. Лайнер. \it Науч. тр. Гиредмета (М., 1962) т. 6, с. 149
  15. В.И. Прохоров, В.И. Соколов, Л.М. Сорокин. ФТТ, 23, 1302 (1981)
  16. D. Nobili, A. Armigliato, M. Finetti, S. Solmi. J. Appl. Phys., 53, 1484 (1982)
  17. C.G. Morgan-Pond. J. Electron. Mater., 20, 399 (1991)
  18. H. Kitagawa, S. Tanaka, H. Nakashima, M. Yoshida. J. Electron. Mater., 20, 441 (1991)
  19. S.M. Hu. Appl. Phys. Lett., 27, 165 (1975)
  20. В.И. Соколов, Н.А. Федорович, Г.М. Гурьянов, А.П. Коварский. ФТТ, 24, 1635 (1982)
  21. \it Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., 1975)
  22. Б.И. Болтакс, Р.Ш. Малкович, В.А. Покоева, В.И. Соколов. ФТП, 10, 755 (1976)
  23. D.K. Schroder. Sol. St. Phenomena, 6-7, 383 (1989)
  24. P.F. Schmidt, C.W. Pearce. J. Electrochem. Soc., 128, 630 (1981)
  25. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. \it Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М., 1984)
  26. D.K. Schroder, C.S. Chen, J.S. Kang, X.D. Song. J. Appl. Phys., 63, 136 (1988)
  27. В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, В.З. Куцова, А.Р. Регель, Ю.Н. Таран, Г.Г. Тимошина, К.И. Узлов, Э.С. Фалькевич. Электронная промышленность, вып. 5, 17 (1993)
  28. В.Д. Скупов, В.А. Перевощиков, О.Н. Горшков. Поверхность, вып. 7, 155 (1989)
  29. T. Adachi, C.R. Celms. Appl. Phys. Lett., 32, 199 (1979)
  30. В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко. ФТП, 13, 604 (1979)
  31. V.I. Sokolov, N.A. Fedorovich. Phys. St. Sol. (a), 99, 151 (1987)
  32. S.A. Litvinenko, V.I. Sokolov. Phys. St. Sol. (a), 116, 615 (1989)
  33. S. Mizuo, H. Higuchi. Japan. J. Appl. Phys., 21, 1547 (1982)
  34. В.И. Соколов, И.Л. Шульпина, С.А. Гончаров, Н.С. Жданович. Электрон. техн. Материалы, вып. 7 (261), 6 (1991)
  35. H. Gocan, A. Morimoto, M. Murahata. Thin Sol. Films, 149, 85 (1987)
  36. Дж. Эшелби. \it Континуальная теория дислокаций (М., Иностр. лит., 1963)
  37. Т.Судзуки, Х. Есината, С. Такеуги. \it Динамика дислокаций и пластичность (М., Мир, 1989)
  38. В.Д. Васильев. Физическая кристаллография (М., 1972)
  39. П.А. Пундур, Р.И. Зейля. Обмен опытом в электрон. пром-ти, вып. 5, 41 (1967)
  40. Б.И. Козлов, А.В. Раков. Электрон. техн., сер. Микроэлектроника, вып. 8, 68 (1971)
  41. В.И. Соколов. ФТТ, 7, 265 (1965)
  42. А.Г. Хачатурян. \it Теория фазовых превращений и структура твердых растворов (М., 1974)
  43. H.R. Huff, F. Shimura. Sol. St. Technol., 28, 103 (1985)
  44. I.L. Shulpina. J. Phys. D: Appl. Phys., 26, A82 (1993)
  45. А.И. Олемский, А.Я. Флат. УФН, 163, вып. 12, 1 (1993)
  46. Г. Хакен. \it Информация и самоорганизация: макроскопический подход к сложным системам (М., 1991)
  47. Kwaku, A. Danso, Larry Tullos. Microelectr. Reliab., 21, 513 (1981)
  48. С.П. Лавренко, В.И. Соколов. \it Тез. докл. Всес. конф. "Конструктивно-технологическое обеспечение качества микро- и радиоэлектронной аппаратуры при проектировании и производстве" (Ижевск, 1988) с. 152
  49. W.L. Bloss, W.E. Yamada, A.M. Young, B.K. Janousek. IEEE Trans., NS-35, 1074 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.