Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1995, выпуск 11 » Статья стр. 2092
<<<
Фотоэлектрические явления в структурах на высокоомных полупроводниковых кристаллах с тонким слоем диэлектрика на границе полупроводник--металл
Кашерининов П.Г.1, Кичаев А.В.1, Томасов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
PDF версия
В реальных фотосопротивлениях на высокоомных (полуизолирующих) полупроводниковых кристаллах CdTe (в структурах металл-тонкий диэлектрик-полупроводник-тонкий диэлектрик-металл) обнаружен и исследован ранее не известный эффект гигантской пространственной перестройки напряженности электрического поля в кристалле при освещении структуры. Предлагается новая концепция фотоэлектрических явлений в высокоомных полупроводниковых кристаллах, базирующаяся на представлении об определяющей роли в этих явлениях эффекта перестройки поля в условиях не изменяющегося при освещении времени жизни носителей. Описывается природа эффекта, его проявлением объясняется зависимость характеристик структур от параметров кристалла и диэлектрических слоев, рассматриваются пути направленного создания структур с заданными фотоэлектрическими характеристиками для новых приборов и научных методик.
  1. Е.Н. Аркадьева, Л.В. Маслова, О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев, С.М. Рывкин, А.Х. Хусаинов. ДАН СССР, 221, вып. 1, 77 (1975)
  2. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19, вып. 17, 48 (1993)
  3. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 20, вып. 18, 16 (1994)
  4. П.Г.Кашерининов, Д.Г. Матюхин, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 21, вып. 6, (1995)
  5. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. ЖТФ, 65, (1995)
  6. Р. Бьюб. \it Фотопроводимость твердых тел (М., Иностр. лит., 1962)
  7. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
  8. С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  9. А.Г. Милнс. \it Глубокие примеси в полупроводниках (М., Мир, 1976)
  10. В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевская. \it Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (М., Сов. радио, 1974)
  11. Н. Мотт, Р. Герни. \it Электронные процессы в ионных кристаллах (М., Иностр. лит., 1950)
  12. М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  13. П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
  14. M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 349 (1974)
  15. M.A. Green, V.A.K. Temple, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 18, 745 (1975)
  16. А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9, 1761 (1975)
  17. А.Я. Вуль, В.И. Федоров, Ю.Ф. Бирюлин, Ю.С. Зинчик, С.В. Козырев, И.И. Сайдышев, К.В. Санин. ФТП, 15, 525 (1981)
  18. А.Я. Вуль, С.В. Козырев, В.И. Федоров. ФТП, 15, 142 (1981)
  19. А.Я. Вуль, А.В. Саченко. ФТП, 17, 1367 (1983)
  20. G. Cavalleri, E. Gatti, G. Fabri, V.Svelto. Nucl. Instrum. Meth., 92, 137 (1971)
  21. Б.С. Муравский, В.И. Кузнецов, Г.И. Фризен, В.Н. Черный. ФТП, 6, 2114 (1972)
  22. N.V. Agrinskaya, E.N. Arkadeva. Phys. St. Sol. (b), 143, K103 (1987)
  23. M.Hage-Ali, R. Stuck, C. Scharager, P. Siffert. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-26, 281 (1979)
  24. Е.Р. Мустель, В.Н. Парыгин. \it Методы модулиции и сканирования света (М., Наука, 1970)
  25. А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9, 1761 (1975)
  26. G.Fabri, V. Svelto. Nucl. Instrum Meth., 35, 33 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme