"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ спектров фотолюминесценции слоев GaAs, выращенных из Ga--Bi растворов--расплавов
Куницын А.Е.1, Новиков С.В.1, Чалдышев В.В.1, Панек М.1, Пашкевич Р.1, Пашкевич Б.1, Тлакзала М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Выращены слои GaAs методом жидкофазной эпитаксии в отркрытой системе из Ga-Bi растворов-расплавов. Проведены исследования слоев методом низкотемпературной фотолюминесценции (при 4.2 K). Проанализированы изменения спектров фотолюминесценции в зависимости от содержания висмута в растворе-расплаве.
  1. Н.В. Ганина, В.В. Уфимцев, В.И. Фистуль. Письма ЖТФ, 8, 620 (1982)
  2. Ю.Ф. Бирюлин, В.В. Воробьева, В.Г. Голубев, Л.В. Голубев, В.И. Иванов-Омский , С.В. Новиков, А.В. Осутин, И.Г. Савельев, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев, О.В. Ярошевич. ФТП, 21, 2201 (1987)
  3. N.A. Yakusheva, K.S. Zhuravlev, S.I. Chikichev, O.A. Shegaj. Cryst. Res. Technol., 24, 235 (1989)
  4. M. Panek, M. Ratuszek, M. Tlaczala. Mater. Sci., 21, 3977 (1986)
  5. Н.А. Якушева, С.И. Чикичев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 23, 1607 (1987)
  6. Ю.Ф. Бирюлин, Н.В. Ганина, М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 17,108 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.