Анализ спектров фотолюминесценции слоев GaAs, выращенных из Ga--Bi растворов--расплавов
Куницын А.Е.1, Новиков С.В.1, Чалдышев В.В.1, Панек М.1, Пашкевич Р.1, Пашкевич Б.1, Тлакзала М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
Выращены слои GaAs методом жидкофазной эпитаксии в отркрытой системе из Ga-Bi растворов-расплавов. Проведены исследования слоев методом низкотемпературной фотолюминесценции (при 4.2 K). Проанализированы изменения спектров фотолюминесценции в зависимости от содержания висмута в растворе-расплаве.
- Н.В. Ганина, В.В. Уфимцев, В.И. Фистуль. Письма ЖТФ, 8, 620 (1982)
- Ю.Ф. Бирюлин, В.В. Воробьева, В.Г. Голубев, Л.В. Голубев, В.И. Иванов-Омский , С.В. Новиков, А.В. Осутин, И.Г. Савельев, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев, О.В. Ярошевич. ФТП, 21, 2201 (1987)
- N.A. Yakusheva, K.S. Zhuravlev, S.I. Chikichev, O.A. Shegaj. Cryst. Res. Technol., 24, 235 (1989)
- M. Panek, M. Ratuszek, M. Tlaczala. Mater. Sci., 21, 3977 (1986)
- Н.А. Якушева, С.И. Чикичев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 23, 1607 (1987)
- Ю.Ф. Бирюлин, Н.В. Ганина, М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 17,108 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
