Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние поверхностного потенциала на комбинационное рассеяние света в фосфиде индия

Образцов А.Н.¹, Гоманюк А.А.¹, Микуленок А.В.¹, Терра Ф.С.¹

¹Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow, Russia

Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 6 апреля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследований образцов n-InP с различной кристаллографической ориентацией поверхности: (100) - n=(4.5-6)· 10¹⁶ см^-3, (110) - n=(2-3)· 10¹⁶ см^-3, (111) - n=(1.3-1.5)· 10¹⁶ см^-3. Измерена зависимость интенсивности и формы линии спектров комбинационного рассеяния света от мощности возбуждающего лазерного излучения. Полученные данные объясняются в рамках представлений о связанных плазмон-фононных колебаниях. Показана зависимость эффективности плазмон-фононного взаимодействия от величины поверхностного потенциала, который определяется в свою очередь обработкой поверхности полупроводниковых пластин, включая механическую полировку, дополнительное химическое травление, нанесение слоя Si₃N₄.

T. Nakamuta, T. Katoda. J. Appl. Phys., 55, 3064 (1984)
М.В. Белоусов, А.Т. Гореленок, В.Ю. Давыдов, Р.В. Каржавин, И.А. Мокина, Н.М. Шмидт, И.Ю. Якименко. ФТП, 24, 2177 (1990)
J.E. Maslar, P.W. Bohn, D.G.Ballageer, E. Andideh, I.Adesida, C. Caneau, R. Bhat. J. Appl. Phys., 73, 2983 (1993)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. \it Оптические свойства полупроводников: Справочник (Киев, Наук. думка, 1987) с. 228
C.S. Rama Rao, S. Sundaram, R.I. Schmidt, J. Comas. J. Appl. Phys., 54, 1808 (1993)
А.В. Микуленок, А.Н. Образцов, В.Г. Пирогов, И.Г. Стоянова, А.С. Трохин. ФТП, 25, 1805 (1991)
E. Bedel, G. Landa, R. Garles, L.P. Redoules, J.B. Renucci. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 19, 1471 (1986)
\it Рассеяние света в твердых телах. Вып. IV. Электронное рассеяние и спиновые эффекты, морфические эффекты, под ред. М.Кардоны, Г.Гюнтеродта (М., Мир, 1986) с. 24

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель