Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1995, выпуск 5 » Статья стр. 937
<<<>>>
Взаимодействие атомной и электронно-дырочной подсистем и роль точечных дефектов при диффузии в полупроводниках
Куликов Г.С.1, Малкович Р.Ш.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.
PDF версия
Рассмотрены два существенных фактора, определяющих характер атомной диффузии в полупроводниках - взаимодействие примесей и точечных дефектов (вакансий и собственных междоузельных атомов) с электронно-дырочной подсистемой и роль точечных дефектов в процессе диффузии.
  1. Я.И. Френкель. \it Введение в теорию металлов (Огиз, Гиттл, Л.; М.; 1948)
  2. J.R. Manning. \it Diffusion Kinetics for Atoms in Crystals (D. van Nostrand Co., Inc., Princeton, Toronto, 1968). [Пер.: Дж. Маннинг. \it Кинетика диффузии атомов в кристаллах (М., Мир, 1971)]
  3. P.G. Shewmon. \it Diffusion in Solids (N. Y. a.o. McGraw-Hill, 1963). [Пер.: П. Шьюмон. \it Диффузия в твердых телах (М., Металлургия, 1966)]
  4. Б.И. Болтакс. \it Диффузия в полупроводниках (Физматгиз, М., 1961)
  5. Б.И. Болтакс. \it Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
  6. \it Atomic Diffusion in Semiconductors, ed. by D Shaw (Plenum Press, London--N. Y., 1973). [Пер.: \it Атомная диффузия в полупроводниках, под. ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)]
  7. W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A.Seeger. \it Diffusion in Silicon and Germanium. In: \it Diffusion in crystalline solids, ed. by G.E. Murch, A.S. Nowik (Orlando a.o. Acad. Press, 1984)
  8. J.C. Tsai. In: \it VLSI Technology, ed. by S.M. Sze (McGraw-Hill Book Co., N.Y. a.o., 1983). [Пер.: Дж. Цай. \it Диффузия. В сб.: \it Технология СБИС (М., 1968)]
  9. L.R. Weisberg, J. Blanc. Phys. Rev., 131, 1548 (1963)
  10. H.C. Casey, Jr., M.B. Panish, L.L. Chang. Phys. Rev., 162, 660 (1967)
  11. O. Hildebrand. Phys. St. Sol. (a), 72, 575 (1982)
  12. C.J. Gallagher. J. Phys. Chem. Sol., 3, 82 (1957)
  13. Б.И. Болтакс, С.И. Рембеза, Б.Л. Шарма. ФТП, 1, 247 (1967)
  14. V. Swaminathan, S.M. Copley. J. Appl. Phys., 47, 4405 (1976)
  15. Y. Yamamoto, H. Kanbe. Japan. J. Appl. Phys., 19, 121 (1980)
  16. M.E. Greiner, J.F. Gibbons. Appl. Phys. Lett., 44, 750 (1984); J. Appl. Phys., 57, 5181 (1985)
  17. Ю.Н. Шутов, В.А. Усков. ФТТ, 12, 3007 (1970)
  18. K. Kazmierski, B. de Cremoux. Japan J. Appl. Phys., 24, 239 (1985)
  19. S. Reynolds, D.W. Vook, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 63, 1052 (1988)
  20. R.L. Longini. Sol. St. Electron., 5, 127 (1962)
  21. H. Zimmermann, U. Gosele, T.Y. Tan. J. Appl. Phys., 73, 150 (1993)
  22. Е.А. Скорятина. ФТП, 20, 1877 (1986)
  23. R.L. Longini. Phys. Rev., 99, 636(A) (1955)
  24. R.L. Longini, R.F. Greene. Phys. Rev., 106, 992 (1956)
  25. R.A. Swalin. J. Appl. Phys., 29, 670 (1958)
  26. W. Shockley, J.T. Last. Phys. Rev., 107, 392 (1957)
  27. W.Shockley, J.L. Moll. Phys. Rev., 119, 1480 (1960)
  28. J.S. Macris, B.J. Masters. J. Appl. Phys., 42, 3750 (1971)
  29. С.Н. Ершов, В.А. Пантелеев, С.Н. Нагорных, В.В. Черняховский. ФТТ, 19, 322 (1977)
  30. R.B. Fair, J.C. Tsai. J. Electrochem. Soc., 124 1107 (1977)
  31. R. Shrivastava, A.H. Marshak. J. Appl. Phys., 51, 3222 (1980)
  32. K. Kazmierski, F. Launay, B. de Cremoux. Japan. J. Appl. Phys., 26, 1630 (1987)
  33. K.B. Kahen. Appl. Phys. Lett., 55 2117 (1989)
  34. M.W. Valenta, C. Ramasastry. Phys. Rev., 106, 73 (1957)
  35. A. Seeger and K.P. Chik. Phys. St. Sol., 29, 455 (1968)
  36. D. Shaw. Phys. St. Sol., (b), 72, 11 (1975)
  37. R.B. Fair. In: \it Impurity Doping Processes in Silicon, ed. by F.F.Y. Wang (North-Holland, N.Y., 1981)
  38. B.J. Masters, J.M. Fairfield. J. Appl. Phys., 40, 2390 (1969)
  39. D.P. Kennedy, P.C. Murley. Proc. IEEE, 59, 335 (1971)
  40. J.S. Macris, B.J. Masters. J. Electrochem. Soc., 120, 1252 (1973)
  41. R.B. Fair. J. Electrochem. Soc., 122, 800 (1975)
  42. M.F.Millea. J. Phys. Chem. Sol., 27, 315 (1966)
  43. R.M. Cohen. J. Appl. Phys., 67, 7268 (1990)
  44. S.Zaromb. IBM J. Res. Dev., 1, 57 (1957)
  45. F.M. Smits. Proc. IRE, 46, 1049 (1958)
  46. W.Shockley. J. Appl. Phys., 32, 1402 (1961)
  47. K. Lehovec, A. Slobodskoy. Sol. St. Electron., 3, 45 (1961)
  48. В.В. Васькин, В.С. Метрикин, В.А. Усков, М.Я. Широбоков. ФТТ, 7, 3356 (1965)
  49. D. Shaw, A.L.J. Wells. Brit. J. Appl. Phys., 17, 999 (1966)
  50. T. Klein, J.R.A. Beale. Sol. St. Electron., 9, 59 (1966)
  51. Н.М. Бордина, А.М. Васильев, Д.А. Попов. ФТТ, 8, 2248 (1966)
  52. В.В. Васькин, В.С. Метрикин, В.А. Усков, М.Я. Широбоков. ФТТ, 8, 3467 (1966)
  53. A.V. Shelley, R.H. Tredgold. Sol. St. Electron., 13, 1219 (1970)
  54. R.Q. Perritt, A.H. Marshak. Sol. St. Electron., 17, 257 (1974)
  55. Р.Ш. Малкович, В.А. Покоева. Phys., St. Sol., 48, 241 (1978)
  56. Р.Ш. Малкович, В.А. Покоева. ФТП, 12, 1541 (1978)
  57. Р.Ш. Малкович, В.А. Покоева. ЖТФ, 49, 47 (1979)
  58. R. Shrivastava and A.H. Marshak. Sol. St. Electron., 23, 73 (1980)
  59. R.K. Jain. J. Appl. Phys., 49, 946 (1978)
  60. Р.Ш. Малкович. ФТП, 15, 773 (1981)
  61. М.П. Галанин, Р.Ш. Малкович. ФТП, 20, 1451 (1986)
  62. Е.Д. Горнушкина, Р.Ш. Малкович. ФТП, 21, 244 (1987)
  63. И.Б. Снапиро, Н.Н. Ткаченко. Письма ЖЭТФ, 50, 111 (1988)
  64. Л.С. Монастырский, Б.С. Соколовский. ФТП. 26 2143 (1992)
  65. S.M. Hu and B.J. Schmidt. J. Appl. Phys., 39, 4272 (1968)
  66. В.Б. Фикс. ФТТ, 1, 16 (1959)
  67. В.Б. Фикс. ФТТ, 1, 1321 (1959)
  68. В.Б. Фикс. ФТТ, 6, 1589 (1964)
  69. В.И. Фикс. \it Ионая проводимость в металлах и полупроводниках (М., 1964)
  70. Б.И. Волтакс, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТТ, 2, 2395 (1960)
  71. R.B. Fair. Mater. Sci. Forum, 1, 109 (1984)
  72. R.B. Fair. J. Appl. Phys., 51, 5828 (1980)
  73. T.Y. Tan, U. Gosele. Appl. Phys. A., 37, 1 (1985)
  74. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
  75. F.C. Frank, D. Turnbull. Phys. Rev., 104, 617 (1956)
  76. K.H. Nicholas. Sol. St. Electron., 9, 35 (1966)
  77. G.N. Wills. Sol. St. Electron., 12, 133 (1969)
  78. K.E. Bean, P.S. Glime. Proc. IEEE, 57, 1469 (1969)
  79. H.J. Queisser, P.G.G. Van Loon. J. Appl. Phys., 35, 3066 (1964)
  80. R.J. Jaccodine, C.M. Drum. Appl. Phys. Lett., 8, 29 (1966)
  81. G.R. Booker, W.J. Tunstall. Phil. Mag., 13, 71 (1966)
  82. S.M. Hu. J. Appl. Phys., 35, 3066 (1964)
  83. B. Leroy. J. Appl. Phys., 50, 7996 (1979)
  84. S.M. Hu. In: \it Defects in Semiconductors, ed. by J. Naryan, T.Y. Tan (1981)
  85. R.B. Fair. J. Electrochem. Soc., 128, 1360 (1981)
  86. D.A. Antoniadis, A.M. Lin, R.W. Dutton. Appl. Phys. Lett., 33, 1030 (1978)
  87. S. Mizuo, H. Higuchi. Japan. J. Appl. Phys., 21, 56 (1982)
  88. S. Mizuo, H. Higuchi. Japan. J. Appl. Phys., 20, 739 (1981)
  89. S.Mizuo, T. Kusaka, A. Shintani, M. Nauba, H. Higuchi. J. Appl. Phys., 54, 3860 (1983)
  90. P.M. Fahey, R.W. Dutton, M. Moslehi. Appl. Phys. Lett., 43, 683 (1983)
  91. P.M. Fahey, G. Barbuscia, M. Moslehi, R.W. Dutton. Appl. Phys. Lett., 46, 784 (1985)
  92. B.P.R. Marioton, U. Gosele. Japan. J. Appl. Phys., 28, pt. 1, 1274 (1989)
  93. M. Orlowski. Appl. Phys. Lett., 53, 1323 (1988)
  94. A. Seeger. Phys. St. Sol., 61, 521 (1980)
  95. U. Gosele, W. Frank, A. Seeger. Appl. Phys., 23, 361 (1980)
  96. U. Gosele, F. Morehead, W. Frank, A. Seeger. Appl. Phys. Lett., 38, 157 (1981)
  97. M. Hill, M. Lietz, R. Sittig. J. Electrochem. Soc., 129, 1579 (1982)
  98. M. Perret, N.A. Stolwijk, L. Cohausz. J. Phys.: Condens. Matter., 1, 6347 (1989)
  99. N.A. Stolwijk, B. Schuster, J. Holzl, H. Mehrer, W. Frank. Physica, 116 B, 335 (1983)
  100. S. Mantovani, F. Nava, C. Nobili, G. Ottaviani. Phys. Rev. B, 33, 5536 (1986)
  101. R. Car, P.J. Kelly, A. Oshiyama, S.T. Pantelides. Phys. Rev. Lett., 52, 1814 (1984)
  102. K. Taniguchi, D.A. Antoniadis, Y. Matsushita. Appl. Phys. Lett. 42, 961 (1983)
  103. P.B. Griffin, P.M. Fahey, J.D. Plummer, R.W. Dutton. Appl. Phys. Lett., 47, 319 (1985)
  104. G.B. Bronner et al. In: \it Impurity Diffusion und Gettering in Silicon, ed. by R.B. Fair et al. [Mater. Res. Soc., 36, 49 (1985)]
  105. P.B. Griffin, S.T. Ahn, W.A. Tiller, J.D. Plummer. Appl. Phys. Lett., 51, 115 (1987)
  106. D. Mathiot. In: \it Defects in Electronic Materials, ed. by M. Stavola et al. [Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, 104, 189 (1988)]
  107. F.F. Marehead. In: \it Defects in Electronic Materials, ed. by M. Stavole et al. [Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, 104 99 (1988)]
  108. W. Wijaranakula. J. Appl. Phys., 67, 7624 (1990)
  109. Y. Okada. Phys. Rev. B, 41, 10741 (1990)
  110. G.B. Bronner, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 61, 5286 (1987)
  111. A.M. Agarwal, S.T. Dunham. Appl. Phys. Lett., 63, 800 (1993)
  112. D. Maroudas, R.A. Brown. Appl. Phys. Lett., 62, 172 (1993)
  113. D. Tsoukalas, C. Tsamis, J. Stoemenos. Appl. Phys. Lett., 63, 3167 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme