Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение и исследование пористого кремния в порошкообразной форме

Андрианов А.В.¹, Беляков Л.В.¹, Горячев Д.Н.¹, Сресели О.М.¹, Ярошецкий И.Д.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 ноября 1994 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрен механизм электролитического формирования пористого кремния с учетом вторичной кристаллизации кремния на поверхности кремниевой подложки. Исходя из этих представлений разработан процесс получения порошкообразного пористого кремния и изучены его люминесцентные свойства.

G.D. Sanders, Y.-Ch. Chang. Appl. Phys. Lett., 60, 2525 (1992)
М.Е. Компан, И.Ю. Шибанов. ФТТ, 36, 125 (1994)
S. Guha, G. Hendershot, D. Peeblis, P. Steiner, F. Kozlowski, W. Lang. Appl. Phys. Lett., 64, 613 (1994)
T. Ito, T. Ohta, A. Hiraki. Lapan. J. Appl. Phys. (Lett.), 31, L1 (1992)
P. Hlinomaz, O. Klima, A. Hospodkova, E. Hulicius, J. Oswald, E. Sipek, J. Kocka. Appl. Phys. Lett., 64, 3118 (1994)
R.L. Smith, S.D. Collins. J. Appl. Phys., 71, R1 (1992)
R.W. Fathauer, T. George, E.W. Jones, W.T. Pike, A. Ksendzov, R.P. Vasquez. Appl. Phys. Lett., 61, 2350 (1992)
J.M. Perez, J. Villalobos, P. McNeill, J. Prasad, R. Cheek, J. Kelber, J.P. Estrera, P.D. Stevens, R. Glosser. Appl. Phys. Lett., 61, 563 (1992)
D.R. Turner. In:\it The Electrochemistry of Semiconductors, ed. by J. Holmes (Academic, London, 1962)
Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1963 (1993)
А.В. Андрианов, Д.И. Ковалев, Н.Н. Зиновьев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖЭТФ, 58, 417 (1993)
А.В. Андрианов, Д.И. Ковалев, И.Д. Ярошецкий. ФТТ, 35, 2677 (1993)
А.В. Андрианов, Д.И. Ковалев, В.Б. Шуман, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖЭТФ, 56, 242 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель