Вышедшие номера
Применение метода сильносигнальной конденсаторной фотоэдс для определения некоторых параметров
Тихов С.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Исследована кинетика роста конденсаторной фотоэдс при мощных одиночных импульсах освещения в слоистой полупроводниковой структуре <эпитаксиальная пленка n-GaAs>-<полуизолирующий i-GaAs>. Установлено доминирование барьерного механизма возникновения фотоэдс. Экспериментальные данные объяснены на основе модели, обычно применяемой для анализа результатов измерения вентильной фотоэдс на барьере. Показана возможность определения энергетической диаграммы структуры и ряда ее параметров, относящихся как к эпитаксиальным пленкам (длина диффузии неосновных носителей заряда, скорость поверхностной рекомбинации), так и к i-GaAs (тип проводимости, концентрация носителей заряда).
  1. В.А. Зуев, А.В. Саченко, Н.Б. Толпыго. \it Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., 1977)
  2. А.Я. Вуль, Н.В. Санин, В.И. Федоров, Р.Ю. Хансеваров, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, 5, 930 (1979)
  3. В.И. Поляков, П.И. Перов, М.Г. Ермаков, О.И. Ермакова, В.И. Сергеев. Микроэлектроника, 5, 565 (1987)
  4. В.И. Поляков, П.И. Перов, М.Г. Ермаков. А.С. СССР N 1001236 (1981)
  5. Б.И. Бедный, А.Н. Калинин, А.Н. Савинов. Изв. вузов СССР. Физика, 8, 109 (1987)
  6. А.А. Быковников, О.В. Иванова, О.В. Константинов, Т.В. Львова, О.А. Мезрин. ФТП, 18, 1256 (1984)
  7. \it Полуизолирующие соединения A^IIIB^V (М., 1984)
  8. A.J. Codman. J. Appl. Phys., 32, 2550 (1961)
  9. Zhang Sheughao. J. Appl. Phys., 67, 272 (1990)
  10. О.В. Константинов, Е.В. Царенков. ФТП, 24, 2126 (1990)
  11. Б.И. Бедный. Поверхность. Физика, химия, механика, 10, 58 (1993)
  12. H. Hasegawa, H. Ohno. J. Vac. Sci. Technol., 4, 1130 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.