Применение метода сильносигнальной конденсаторной фотоэдс для определения некоторых параметров
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Исследована кинетика роста конденсаторной фотоэдс при мощных одиночных импульсах освещения в слоистой полупроводниковой структуре <эпитаксиальная пленка n-GaAs>-<полуизолирующий i-GaAs>. Установлено доминирование барьерного механизма возникновения фотоэдс. Экспериментальные данные объяснены на основе модели, обычно применяемой для анализа результатов измерения вентильной фотоэдс на барьере. Показана возможность определения энергетической диаграммы структуры и ряда ее параметров, относящихся как к эпитаксиальным пленкам (длина диффузии неосновных носителей заряда, скорость поверхностной рекомбинации), так и к i-GaAs (тип проводимости, концентрация носителей заряда).
- В.А. Зуев, А.В. Саченко, Н.Б. Толпыго. \it Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., 1977)
- А.Я. Вуль, Н.В. Санин, В.И. Федоров, Р.Ю. Хансеваров, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, 5, 930 (1979)
- В.И. Поляков, П.И. Перов, М.Г. Ермаков, О.И. Ермакова, В.И. Сергеев. Микроэлектроника, 5, 565 (1987)
- В.И. Поляков, П.И. Перов, М.Г. Ермаков. А.С. СССР N 1001236 (1981)
- Б.И. Бедный, А.Н. Калинин, А.Н. Савинов. Изв. вузов СССР. Физика, 8, 109 (1987)
- А.А. Быковников, О.В. Иванова, О.В. Константинов, Т.В. Львова, О.А. Мезрин. ФТП, 18, 1256 (1984)
- \it Полуизолирующие соединения A^IIIB^V (М., 1984)
- A.J. Codman. J. Appl. Phys., 32, 2550 (1961)
- Zhang Sheughao. J. Appl. Phys., 67, 272 (1990)
- О.В. Константинов, Е.В. Царенков. ФТП, 24, 2126 (1990)
- Б.И. Бедный. Поверхность. Физика, химия, механика, 10, 58 (1993)
- H. Hasegawa, H. Ohno. J. Vac. Sci. Technol., 4, 1130 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
