Поверхностно-барьерные структуры CdS с промежуточным тонким варизонным слоем
Бобренко Ю.Н.1, Павелец А.М.1, Павелец С.Ю.1, Шенгелия Т.Е.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 31 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Для оптимизации параметров поверхностно-барьерной структуры на основе CdS предлагается использовать тонкий промежуточный варизонный слой (ZnSe)x(CdS)1-x. Использование указанных слоев позволяет уменьшить на 2 порядка величины темновые диодные токи. Структуры характеризуются высокой эффективностью в области ближнего ультрафиолета.
- В.М. Евдокимов. РЭ, 10, 1314 (1965)
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.Н. Мурыгин, В.Н. Стремин. ФТП, 3, 1470 (1969)
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, М.Б. Каган, В.И. Корольков, Т.С. Табаров, Ф.М. Таджибаев. Письма ЖТФ, 3, 725 (1977)
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, Т.С. Табаров, Ф.М. Таджибаев. ФТП, 13, 504 (1979)
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, Т.С. Табаров. Письма ЖТФ, 4, 305 (1978)
- Б.В. Царенков, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 7, 1426 (1973)
- А. Беркелиев, Ю.А. Гольдберг, А.Н. Именков, Д. Мелебаев, Б.В. Царенков. ФТП, 12, 96 (1978)
- О.Ю. Горкун, К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Е.Б. Круликовская, В.В. Миленин, Б.А. Нестеренк, С.Ю. Павелец, В.Н. Сарылов, В.М. Ткаченко, А.Д. Фаленчук. УФЖ, 34, 122 (1989)
- С.Ю. Павелец, Г.А. Федорус. ФТП, 9, 1164 (1975)
- Р.В. Кантария, С.Ю. Павелец. ФТП, 12, 1214 (1978)
- В.Н. Комащенко, Г.А. Федорус. ФТП, 3, 1195 (1969)
- С.Ю. Павелец, Т.М. Сванидзе, В.П. Тарасенко. УФЖ, 28, 581 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук