"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поверхностно-барьерные структуры CdS с промежуточным тонким варизонным слоем
Бобренко Ю.Н.1, Павелец А.М.1, Павелец С.Ю.1, Шенгелия Т.Е.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 31 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Для оптимизации параметров поверхностно-барьерной структуры на основе CdS предлагается использовать тонкий промежуточный варизонный слой (ZnSe)x(CdS)1-x. Использование указанных слоев позволяет уменьшить на 2 порядка величины темновые диодные токи. Структуры характеризуются высокой эффективностью в области ближнего ультрафиолета.
  1. В.М. Евдокимов. РЭ, 10, 1314 (1965)
  2. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.Н. Мурыгин, В.Н. Стремин. ФТП, 3, 1470 (1969)
  3. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, М.Б. Каган, В.И. Корольков, Т.С. Табаров, Ф.М. Таджибаев. Письма ЖТФ, 3, 725 (1977)
  4. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, Т.С. Табаров, Ф.М. Таджибаев. ФТП, 13, 504 (1979)
  5. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, Т.С. Табаров. Письма ЖТФ, 4, 305 (1978)
  6. Б.В. Царенков, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 7, 1426 (1973)
  7. А. Беркелиев, Ю.А. Гольдберг, А.Н. Именков, Д. Мелебаев, Б.В. Царенков. ФТП, 12, 96 (1978)
  8. О.Ю. Горкун, К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Е.Б. Круликовская, В.В. Миленин, Б.А. Нестеренк, С.Ю. Павелец, В.Н. Сарылов, В.М. Ткаченко, А.Д. Фаленчук. УФЖ, 34, 122 (1989)
  9. С.Ю. Павелец, Г.А. Федорус. ФТП, 9, 1164 (1975)
  10. Р.В. Кантария, С.Ю. Павелец. ФТП, 12, 1214 (1978)
  11. В.Н. Комащенко, Г.А. Федорус. ФТП, 3, 1195 (1969)
  12. С.Ю. Павелец, Т.М. Сванидзе, В.П. Тарасенко. УФЖ, 28, 581 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.