"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диффузия примеси в полупроводнике в двух состояниях, различающихся коэффициентами диффузии и степенью ионизации примесных атомов
Горнушкина Е.Д.1, Малкович Р.Ш.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.

Выполнен математический анализ диффузии примеси в полупроводнике в двух состояниях, различиющихся коэффициентами диффузии и степенью ионизации атомов примеси, при условиях локального равновесия между состояниями и локальной электронейтральности. Показано, что рассматриваемая задача может быть описана уравнением концентрационно-зависимой диффузии, в котором коэффициент диффузии D(C) является произведением двух сомножителей --- диффузионного D(C) и дрейфового F(C), зависящих от распределения примеси по состояниям. Функция D(C) изменяется монотонно, увеличиваясь или уменьшаясь с концентрацией примеси, тогда как F(C) может изменяться и немонотонным образом, что проявляется в наличии максимума либо максимума и минимума. Установлены критерии монотонного и немонотонного поведения функции F(C), которые связаны со значениями зарядов в обоих состояниях, а также с величиной коэффициента обмена между состояниями.
  1. \it Atomic Diffusion in Semiconductors, ed. D.Shaw (Plenum Press, L.--N.Y., 1973). [Пер.: \it Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д.Шоу (М., Мир, 1975)]
  2. Б.И. Болтакс. \it Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
  3. L.R. Weisberg, J. Blanc. Phys. Rev., 131, 1548 (1963)
  4. H.C. Casey, M.B. Panish, L.L. Chang. Phys. Rev., 162, 660 (1967)
  5. C. van Opdorp. J. Appl. Phys., 38, 5411 (1967)
  6. K. Kazmierski, B. de Cremous. Japan. J. Appl. Phys., 25, 1169 (1986)
  7. O. Hilderand. Phys. St. Sol. (a), 72, 575 (1982)
  8. S. Reynolds, D.W. Vook, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 63, 1052 (1988)
  9. H. Kitagawa, S. Tanaka, B. Ni. Japan. J. Appl. Phys., 32, L1645 (1993)
  10. C.J. Gallagher. J. Phys. Chem. Sol., 3, 82 (1957)
  11. V. Swaminathan, D.M. Copley. J. Appl. Phys., 47, 4405 (1976)
  12. Г. Корн., Т. Корн. \it Справочник по математике (М., Наука, 1978)
  13. Л.Я. Окунев. Высшая алгебра (М., Учпедгиз. 1958)
  14. Ю.Н. Шутов, В.А. Усков. ФТТ, 12, 3007 (1970)
  15. K. Kazmierski, F. Launay, B. de Cremoux. Japan. J. Appl. Phys., 26, 1630 (1987)
  16. K.B. Kahen. Appl. Phys. Lett., 55, 2177 (1989)
  17. K.B. Kahen, J.P. Spence, G. Rajeswaran. J. Appl. Phys., 70, 2464 (1991)
  18. K.K. Shih, J.W. Allen, G.L. Pearson. J. Phys. Chem. Sol., 29, 379 (1968)
  19. A. Usami, Y. Tokuda, H. Shiraki, H. Ueda, T. Wada, H. Kan, T. Murakami. J. Appl. Phys., 66, 3590 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.