"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефектообразование в поверхностной области кремния при его термическом окислении
Шаповалов В.П.1, Грядун В.И.1, Королев А.Е.1
1Запорожский государственный технический университет, Запорожье, Украина
Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Построена модель возникновения механических напряжений в системе Si-SiO2 при высокотемпературном окислении кремния, в которой учитывается скорость окисления и текучесть диоксида кремния при заданной температуре. Рассматриваются начальные стадии окисления в рамках LP-модели Дила и Гроува до толщины SiO2 ~0.25 мкм. Процесс дефектообразования в кремнии на границе раздела Si-SiO2 рассматривается как следствие генерации межузельных атомов кремния под действием механических напряжений. Рассчитаны зависимости поверхностной плотности микродефектов и упругих напряжений в кремнии от толщины окисла. Кривая плотности микродефектов хорошо согласуется с экспериментальными результатами, полученными на пластинах кремния с ориентацией (111) при окислении их в атмосфере влажного кислорода при температуре 1000 oC до толщины ~0.15 мкм. Анализ полученных результатов указывает на существование переходного слоя SiOz в системе Si-SiO2. Рассчитан стехиометрический коэффициент кислорода в переходном слое SiOz на границе раздела Si-SiO2, который составляет величину ~0.5.
  1. Дж. Пламмер, Б. Дил. \it МОП--СБИС: Моделирование элементов и технологических процессов (М., Мир, 1988) с. 44
  2. В.П. Шаповалов, В.И. Грядун, В.П. Токарев. ФТП, 27, 1851 (1993)
  3. В.Г. Литовченко, Р.И. Марченко, Г.Ф. Романова. \it Электронные процессы на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводник--диэлектрик (Новосибирск: Ин-т физики полупроводников, 1974) с. 50
  4. N.P. Mott. Phil. Mag. B, 55, 117 (1987)
  5. Н.В. Румак, В.В. Хатько. \it Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике (Минск, Навука i тэхнiка, 1990)
  6. N.V. Rumak, V.V. Khatko, V.N. Plotnikov. Phys. St. Sol. A, 86, 98 (1984)
  7. E.P. Etrnisse. Phil. Mag. B, 55, 159 (1987)
  8. B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965)
  9. A.S. Grove. \it Physics and Technology of Semiconductor Devices (Wiley, Pergamon Press, 1967)
  10. К.Г. Глухенький, Н.А. Зайцев, Н.В. Суровиков. Электрон. техн., сер. 6, Материалы, вып. 1 (255), 3 (1991)
  11. K. Nauka, J. Lagowski, H.C. Gatos, O. Ueda. J. Appl. Phys., 60, 615 (1986)
  12. N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.L. Sukhanov. Sol. St. Electron., 34, 1149 (1991)
  13. T.Y. Tan, U. Goesele. Appl. Phys. Lett., 30, 86 (1981)
  14. С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. \it Материаловедение полупроводников и диэлектриков (М., Металлургия, 1988)
  15. Я.Е. Гегузин, М.А. Кривоглаз. \it Движение макроскопических включений в твердых телах (М., Металлургия, 1971)
  16. Е.П. Прокофьев. Электрон. техн., сер. 6, Метериалы, вып. 4 (249), 58 (1990)
  17. A. De Kock. Phil. Res. Rep., 16, 1 (1973)
  18. C.R. Grovenor. \it Semicond. Insul. and Thin Film Transistor Technol. Symp. (Boston, USA, December 3--6, 1985) p. 301

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.