Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Карпович И.А.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Выборнов В.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Бондаренко И.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мохов Е.Н.
Институт полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Ильин Н.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Звонков Б.Н.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Ковалевская Г.Г.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Лихарев С.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Руссу Е.В.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Слободчиков С.В.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Васильев А.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Байдусь Н.В.
Нижегородский научно-исследовательский физико-технический институт им. Н.И. Лобачевского,, Нижний Новгород, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
2
Герасименко Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гуга К.Ю.
Институт полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Лашкарев Г.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Бродовой А.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пляцко С.В.
Институт полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Громовой Ю.С.
Институт полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Мирец А.Л.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кадышев С.К.
Институт полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Малютенко В.К.
Институт физики Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Алешкин В.Я.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Шегай О.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Аншон А.В.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Вывенко О.Ф.
Политехнический институт,, Вятка, Россия
2
Мошегов Н.Т.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ройцин А.Б.
Институт физики Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Магомедов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Батукова Л.М.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Демидов Е.В.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Истратов А.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Шубин В.С.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Демидов Е.С.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт, Нижний Новгород, Россия
1
Бокачева Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ларионова В.А.
Научно-исследовательский институт физики и прикладной математики при Уральском государственном университете им. А.М. Горького,, Екатеринбург, Россия
1
Тихомирова В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Палкин А.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Горичок И.Я.
Иваново-Франковский педагогический институт им. В.С. Стефаника,, Иваново-Франковск, Украина
1
Становов О.Н.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук