"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10051
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
85

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1992 год:
Статья
Просмотров
Лазерно-стимулированная диффузия золота в кремнии
16
Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия
14
Влияние отжига на спектр глубоких центров захвата в ZnSe
12
Икосаэдрические бориды и аморфный бор
12
Флуктуационные пограничные состояния в гетеропереходе
11
Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников
11
К теории захвата дырок квантовой ямой в полупроводниках типа GaAs
11
Особенности дрейфа носителей тока, рассеивающихся на двумерных оптических фононах в сильнонеравновесном стационарном состоянии
11
Угол связи Si-O-Si в монокристалле кремния
11
Особенности электрофизических характеристик тонких слоев PbS с низким содержанием окислителя
11
Анализ температурной зависимости импеданса диода с неоднородной базой из перекомпенсированного полупроводника
11
ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в 6H-SiC
11
О связи между порогами протекания в теории протекания
10
Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
10
Расчет динамических характеристик лавинно-пролетного диода на карбиде кремния
10
Первый международный симпозиум по исследованию перспективных полупроводниковых приборов (ISDRS-91)
10
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
10
Структурная сетка alpha-Si : H, легированного бором, и транспорт дырок
10
Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц (О б з о р)
10
О втором донорном уровне междоузельного хрома в кремнии
10
Статья
Просмотров
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо легированного полупроводника в области пространственного заряда
1368
Экситоты в квантовых ямах с двумерным электронным газом
1251
Матрица переноса одномерного уравнения Шредингера
1241
Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре
1097
Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной менее 50 ангстрем
1096
О природе точечных дефектов генерируемых при диффузии акцепторных примесей в карбиде кремния
1049
Модель радиационного накопления в системе кремний-оксид кремния
1043
Примесный центр с частично заполненной d-оболочкой в бинарном полупроводнике
1040
Термоэдс и термоток монополярных полупроводников ограниченных размеров
1019
Температурная зависимость подвижности двумерного электронного газа, ограниченной примеси рассеянием, в гетероструктурах с широким слоем
980
Радиоэлектрический эффект в сверхрешетках в импульсном режиме облучения
957
Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
938
О темновом токе и шум-факторе ступенчатых ЛФД
936
О причине возникновения приповерхностного плато диффузионного профиля фосфора в кремнии
926
Спиновое расщепление подзон размерного квантования в несимметричных гетероструктурах
912
Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа AIVBVI (О б з о р)
911
Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц (О б з о р)
906
Переход металл-диэлектрик в магнитном поле в сильно легированном антимониде индия
906
Температурное гашение остаточной проводимости в кристаллах селенида цинка, легированных медью
894
Вольт-амперная характеристика МОП транзистора с учетом зависимости подвижности от продольного электрического поля
892
Спектры испускания силикатного пористого стекла, возбуждаемые лазерным излучением в области прозрачности SiO2
891
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
887
Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых p-n-структурах при термообработке
887
Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа PbTe элементами I группы
884
Самосогласованная релятивистская электронная структура соединений A I3B V
883
Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников
882
Некоторые закономерности и новые возможности интеркалированных халькогенидных полупроводников
877
Свойства поверхности и структура энергетических зон соединений AIIBV симметрий D84 и C52h
875
Расчет динамических характеристик лавинно-пролетного диода на карбиде кремния
874
Особенности валентных зон некоторых соединений AIIBV
873
Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
871
Пленка Лэнгмюра-Блоджетт в качестве диэлектрика в МДП транзисторе на основе CdxHg1-xTe
870
К теории захвата дырок квантовой ямой в полупроводниках типа GaAs
865
Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия
865
Электронный g-фактор в квантовых ямах и сверхрешетках
862
Влияние редкоземельных элементов на энтальпию и энтропию ионизации радиационных дефектов в германии, легированном фосфором
862
Флуктуационные пограничные состояния в гетеропереходе
861
Фотоиндуцированные эллиптические двулучепреломление и дихроизм в стеклообразных полупроводниках
860
Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей подложке p-InSb
853
Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов
852
Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния
851
Электрические свойства монокристаллов p-ZnSe
850
Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
848
Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs
848
Влияние нарушения стехиометрии на экситонные, электронные и колебательные состояния в дифосфиде цинка
843
Релаксация емкости в n-pi-p-переходе с произвольным уровнем легирования n- и p-областей
842
Спиновая структура пограничных состояний и циркулярный фотогальванический эффект в гетеропереходах
842
Рамановские и ИК колебательные спектры в кристаллах TlGaS2
838
ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в 6H-SiC
837
Равновесные параметры глубоких объемных уровней в антимониде индия
835
Автор
Организация
Статей
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Карпович И.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Васильев А.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Мохов Е.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Ковалевская Г.Г.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Гуга К.Ю.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Руссу Е.В.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Слободчиков С.В.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Пляцко С.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Герасименко Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Громовой Ю.С.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Яссиевич И.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
2
Кадышев С.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Лашкарев Г.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бродовой А.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Алешкин В.Я.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Шегай О.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Аншон А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Мошегов Н.Т.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ройцин А.Б.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Магомедов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мирец А.Л.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Батукова Л.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Выборнов В.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Малютенко В.К.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Бондаренко И.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Ильин Н.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Лихарев С.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Вывенко О.Ф.
Политехнический институт,, Вятка, Россия
2
Мороженко В.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Тихомирова В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Артамонов В.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Становов О.Н.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Свительский А.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Рыльков В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
1
Тесленко В.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Петров В.В.
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина,, Минск, Беларусь
1
Яссен М.Л.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Василевский К.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Малкина И.Г.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
22
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
12
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Ташкентский политехнический институт им. Беруни, Ташкент, Узбекистан
1
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
1
Институт ядерных исследований Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
1
Научно-производственное объединение "Исток",, Фрязино, Россия
1
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина,, Москва, Россия
1
Политехнический институт,, Вятка, Россия
1
Нижегородский исследовательский физико-технический институт, Нижний Новгород, Россия
1
Уральский политехнический институт им. С.М. Кирова, Екатеринбург, Россия
1
Научно-исследовательский институт материаловедения, Москва, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо, Кишинев, Молдова
1
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Научно-производственное объединение " Орион", Москва, Россия
1
Воронежский государственный педагогический институт, Воронеж, Россия
1
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина, Минск, Беларусь
1
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленина, Ташкент, Республика Узбекистан
1
(Получено 24.03.. Принято к печати 7.05.)
1
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Научно-производственное объединение Свет,, Москва, Россия
1
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина,, Минск, Беларусь
1
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Тернопольский педагогический институт им. Я.О. Галана,, Тернополь, Украина
1
Институт физки полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,, Новосибирск, Россия
1
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Институт физики Академии наук Республики Азербайджан,, Баку, Азербайджан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Белорусской академии наук,, Минск, Беларусь
1
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme