Сырбу Н.Н.
Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо, Кишинев, Молдова
7
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Карпович И.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жадько И.П.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Романов В.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Мохов Е.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Алешкин В.Я.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Магомедов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
4
Кальфа А.А.
Научно-производственное объединение "Исток",, Фрязино, Россия
3
Карзанов В.В.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт, Нижний Новгород, Россия
3
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Ульяшин А.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Стафеев В.И.
Научно-производственное объединение " Орион", Москва, Россия
3
Водаков Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Константинов А.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Роенков А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Аншон А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Батукова Л.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Логвинов Г.Н.
Тернопольский педагогический институт им. Я.О. Галана,, Тернополь, Украина
3
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Громовой Ю.С.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Кадышев С.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Пляцко С.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Бычковский Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Малютенко В.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Гуга К.Ю.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Медведев Б.К.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Тагер А.С.
Научно-производственное объединение "Исток",, Фрязино, Россия
2
Герасименко Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Демидов Е.С.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт, Нижний Новгород, Россия
2
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дмитрук Н.Л.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Фидря Н.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Вывенко О.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бабичев Г.Г.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Гузь В.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Козловский С.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмарцев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковалевская Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Руссу Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Тошходжаев X.А.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Кытин В.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Абрамов В.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Шлопак Н.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лашкарев Г.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Бродовой А.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мирец А.Л.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Демидов Е.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Малкина И.Г.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Семенов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соколов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинова Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильин Н.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Васильев А.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Планкина С.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Толстихин В.И.
Научно-производственное объединение Свет,, Москва, Россия
2
Петров В.В.
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина,, Минск, Беларусь
2
Кладько В.П.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Крыштаб Т.Г.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Семенова Г.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Румянцев С.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Бедный Б.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Шегай О.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Мошегов Н.Т.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Краснов А.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
2
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
2
Пуртов Ю.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
2
Маркевич В.П.
Институт физики твердого тела и полупроводников Белорусской академии наук,, Минск, Беларусь
2
Мурин Л.И.
Институт физики твердого тела и полупроводников Белорусской академии наук,, Минск, Беларусь
2
Веденеев А.С.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Кочеров В.Ф.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Рыльков В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Гольдман Е.И.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Грибников 3.С.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Артамонов В.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Валах М.Я.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Нечипорук Б.Д.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Ройцин А.Б.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Рыбак А.М.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Соколовский Б.С.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Тишковский Е.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Ободников В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Растегин Ю.И.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
1
Апсит А.Р.
(Получено 24.03.. Принято к печати 7.05.)
1
Пырков Ю.Н.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Суслов Л.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Гриняев С.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Коллюх А.Г.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук