"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10328
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
75

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1992 год:
Статья
Просмотров
Перераспределение магния в InAs при постимплантационном отжиге
13
Пары Френкеля в германии и кремнии (О б з о р)
12
"Эффекты фононного узкого горла" при разогреве носителей заряда в полупроводниковых микроструктурах
12
Динамические вольт-амперные характеристики фоточувствительных слоистых структур на основе сильно легированного Si<As> с блокированной проводимостью по примесной зоне
12
Влияние магнитного поля на поляризацию теплового излучения изотропных полупроводников
11
Спиновая структура пограничных состояний и циркулярный фотогальванический эффект в гетеропереходах
11
Образование электронно-дырочных пар и лавинный пробой p-n-перехода при градиентах дрейфовых скоростей электронов и дырок
11
Определение пространственного расположения локализованных электронных состояний и границы раздела полупроводник-диэлектрик
11
Матрица переноса одномерного уравнения Шредингера
11
Влияние дислокаций, образованных лазерным облучением, на электрофизические и люминесцентные свойства p-CdTe
10
Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольт-фарадные характеристики барьерной структуры
10
Образование и свойства термодоноров при отжигах ниже 550oC в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского
10
Дислокации в AlGaAs/GaAs-сверхрешетке
10
Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников
10
Свойства n+-p-переходов на основе CdxHg1-xTe, подвергнутых локальной деформации
10
Спектры комбинационного рассеяния и фазовые переходы в AgAsS2 под давлением
10
Влияние процессов ионизации примесей на проводимость сверхрешетки в немонохроматическом поле
10
Методика определения разрыва зон на гетерогранице по измерениям вольт-фарадных характеристик m-s-гетероструктуры
10
Об аномальной дозовой зависимости концентрации VV-центров в кремнии при ионной имплантации азота
10
Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия
10
Статья
Просмотров
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо легированного полупроводника в области пространственного заряда
1567
Экситоты в квантовых ямах с двумерным электронным газом
1451
Матрица переноса одномерного уравнения Шредингера
1448
Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной менее 50 ангстрем
1310
Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре
1297
О природе точечных дефектов генерируемых при диффузии акцепторных примесей в карбиде кремния
1274
Модель радиационного накопления в системе кремний-оксид кремния
1263
Примесный центр с частично заполненной d-оболочкой в бинарном полупроводнике
1255
Термоэдс и термоток монополярных полупроводников ограниченных размеров
1224
Температурная зависимость подвижности двумерного электронного газа, ограниченной примеси рассеянием, в гетероструктурах с широким слоем
1180
Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
1159
Радиоэлектрический эффект в сверхрешетках в импульсном режиме облучения
1154
Спиновое расщепление подзон размерного квантования в несимметричных гетероструктурах
1145
О причине возникновения приповерхностного плато диффузионного профиля фосфора в кремнии
1140
Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа AIVBVI (О б з о р)
1125
Переход металл-диэлектрик в магнитном поле в сильно легированном антимониде индия
1123
О темновом токе и шум-факторе ступенчатых ЛФД
1122
Пленка Лэнгмюра-Блоджетт в качестве диэлектрика в МДП транзисторе на основе CdxHg1-xTe
1121
Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц (О б з о р)
1117
Особенности валентных зон некоторых соединений AIIBV
1110
Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
1110
Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников
1105
Свойства поверхности и структура энергетических зон соединений AIIBV симметрий D84 и C52h
1103
Вольт-амперная характеристика МОП транзистора с учетом зависимости подвижности от продольного электрического поля
1099
Спектры испускания силикатного пористого стекла, возбуждаемые лазерным излучением в области прозрачности SiO2
1099
Динамика включения Si и GaAs p-i-n-диодов
1095
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
1094
Температурное гашение остаточной проводимости в кристаллах селенида цинка, легированных медью
1092
Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа PbTe элементами I группы
1092
Электронный g-фактор в квантовых ямах и сверхрешетках
1091
Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых p-n-структурах при термообработке
1086
Самосогласованная релятивистская электронная структура соединений A I3B V
1083
Расчет динамических характеристик лавинно-пролетного диода на карбиде кремния
1082
Некоторые закономерности и новые возможности интеркалированных халькогенидных полупроводников
1082
К теории захвата дырок квантовой ямой в полупроводниках типа GaAs
1071
Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов
1068
Спиновая структура пограничных состояний и циркулярный фотогальванический эффект в гетеропереходах
1067
Влияние процессов ионизации примесей на проводимость сверхрешетки в немонохроматическом поле
1066
Фотоиндуцированные эллиптические двулучепреломление и дихроизм в стеклообразных полупроводниках
1065
Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами
1064
Влияние редкоземельных элементов на энтальпию и энтропию ионизации радиационных дефектов в германии, легированном фосфором
1062
Рамановские и ИК колебательные спектры в кристаллах TlGaS2
1058
Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей подложке p-InSb
1056
Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
1055
Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия
1055
Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния
1052
Флуктуационные пограничные состояния в гетеропереходе
1046
ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в 6H-SiC
1045
Центры дилатации в облученном электронами кремнии
1043
Релаксация емкости в n-pi-p-переходе с произвольным уровнем легирования n- и p-областей
1043
Автор
Организация
Статей
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Карпович И.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Васильев А.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Мохов Е.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Ковалевская Г.Г.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Гуга К.Ю.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Руссу Е.В.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Слободчиков С.В.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Пляцко С.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Герасименко Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Громовой Ю.С.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Яссиевич И.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
2
Кадышев С.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Лашкарев Г.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бродовой А.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Алешкин В.Я.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Шегай О.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Аншон А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Мошегов Н.Т.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ройцин А.Б.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мирец А.Л.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Магомедов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Батукова Л.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Малютенко В.К.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Выборнов В.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Бондаренко И.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Ильин Н.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Лихарев С.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Вывенко О.Ф.
Политехнический институт,, Вятка, Россия
2
Мороженко В.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Становов О.Н.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Артамонов В.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Тесленко В.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Свительский А.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Рыльков В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
1
Яссен М.Л.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Петров В.В.
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина,, Минск, Беларусь
1
Василевский К.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Малкина И.Г.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
22
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
12
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
7
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Ташкентский политехнический институт им. Беруни, Ташкент, Узбекистан
1
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
1
Институт ядерных исследований Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
1
Научно-производственное объединение "Исток",, Фрязино, Россия
1
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина,, Москва, Россия
1
Политехнический институт,, Вятка, Россия
1
Нижегородский исследовательский физико-технический институт, Нижний Новгород, Россия
1
Уральский политехнический институт им. С.М. Кирова, Екатеринбург, Россия
1
Научно-исследовательский институт материаловедения, Москва, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо, Кишинев, Молдова
1
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Научно-производственное объединение " Орион", Москва, Россия
1
Воронежский государственный педагогический институт, Воронеж, Россия
1
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина, Минск, Беларусь
1
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленина, Ташкент, Республика Узбекистан
1
(Получено 24.03.. Принято к печати 7.05.)
1
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Научно-производственное объединение Свет,, Москва, Россия
1
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина,, Минск, Беларусь
1
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Тернопольский педагогический институт им. Я.О. Галана,, Тернополь, Украина
1
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Институт физики Академии наук Республики Азербайджан,, Баку, Азербайджан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Белорусской академии наук,, Минск, Беларусь
1
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme