"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10123
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
157

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1992 год:
Статья
Просмотров
Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
16
Новые книги по полупроводникам
14
Именной указатель к журналу "Физика и техника полупроводников" Том 26, 1992 год
11
Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
9
Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe
8
Механизм деградации (GaAs/AlGaAs)-лазера с квантовой ямой
8
Влияние нарушения стехиометрии на экситонные, электронные и колебательные состояния в дифосфиде цинка
8
Низкочастотные колебания тока в компенсированном цинком кремнии
8
К вопросу о корреляции функции в релаксационной спектроскопии глубоких уровней
8
Влияние сильного СВЧ поля на фотоэлектрические характеристики кремниевых p-n-переходов
8
Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K
8
Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа PbTe элементами I группы
8
Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb<Bi> и GaSb<Bi, Sn>, полученных из висмутовых растворов
8
Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной менее 50 ангстрем
7
Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
7
Магнитофотолюминесценция узкощелевого полупроводника Hg0.77Cd0.23Te
7
Образование шнура проводимости и пробоя в поликристаллическом оксиде индия
7
Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия (эффект дальнодействия)
7
Нейтронное облучение CdxHg1-xTe
6
Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов
6
Статья
Просмотров
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо легированного полупроводника в области пространственного заряда
1421
Экситоты в квантовых ямах с двумерным электронным газом
1301
Матрица переноса одномерного уравнения Шредингера
1296
Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной менее 50 ангстрем
1156
Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре
1153
О природе точечных дефектов генерируемых при диффузии акцепторных примесей в карбиде кремния
1110
Примесный центр с частично заполненной d-оболочкой в бинарном полупроводнике
1101
Модель радиационного накопления в системе кремний-оксид кремния
1096
Термоэдс и термоток монополярных полупроводников ограниченных размеров
1083
Температурная зависимость подвижности двумерного электронного газа, ограниченной примеси рассеянием, в гетероструктурах с широким слоем
1039
Радиоэлектрический эффект в сверхрешетках в импульсном режиме облучения
1013
Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
997
О темновом токе и шум-факторе ступенчатых ЛФД
989
О причине возникновения приповерхностного плато диффузионного профиля фосфора в кремнии
989
Спиновое расщепление подзон размерного квантования в несимметричных гетероструктурах
975
Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа AIVBVI (О б з о р)
970
Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц (О б з о р)
968
Переход металл-диэлектрик в магнитном поле в сильно легированном антимониде индия
966
Температурное гашение остаточной проводимости в кристаллах селенида цинка, легированных медью
952
Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников
951
Спектры испускания силикатного пористого стекла, возбуждаемые лазерным излучением в области прозрачности SiO2
951
Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа PbTe элементами I группы
948
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
946
Пленка Лэнгмюра-Блоджетт в качестве диэлектрика в МДП транзисторе на основе CdxHg1-xTe
945
Вольт-амперная характеристика МОП транзистора с учетом зависимости подвижности от продольного электрического поля
943
Особенности валентных зон некоторых соединений AIIBV
943
Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
941
Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых p-n-структурах при термообработке
938
Самосогласованная релятивистская электронная структура соединений A I3B V
936
Электронный g-фактор в квантовых ямах и сверхрешетках
933
Расчет динамических характеристик лавинно-пролетного диода на карбиде кремния
931
Свойства поверхности и структура энергетических зон соединений AIIBV симметрий D84 и C52h
931
Некоторые закономерности и новые возможности интеркалированных халькогенидных полупроводников
930
К теории захвата дырок квантовой ямой в полупроводниках типа GaAs
919
Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей подложке p-InSb
919
Фотоиндуцированные эллиптические двулучепреломление и дихроизм в стеклообразных полупроводниках
916
Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов
915
Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия
914
Флуктуационные пограничные состояния в гетеропереходе
914
Влияние редкоземельных элементов на энтальпию и энтропию ионизации радиационных дефектов в германии, легированном фосфором
914
Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
912
Рамановские и ИК колебательные спектры в кристаллах TlGaS2
909
Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs
904
Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния
902
Релаксация емкости в n-pi-p-переходе с произвольным уровнем легирования n- и p-областей
901
Электрические свойства монокристаллов p-ZnSe
901
Спиновая структура пограничных состояний и циркулярный фотогальванический эффект в гетеропереходах
901
Влияние нарушения стехиометрии на экситонные, электронные и колебательные состояния в дифосфиде цинка
898
Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами
894
ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в 6H-SiC
891
Автор
Организация
Статей
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Карпович И.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Кадышев С.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Малютенко В.К.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Вывенко О.Ф.
Политехнический институт,, Вятка, Россия
2
Выборнов В.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мохов Е.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Алешкин В.Я.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Бондаренко И.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Шегай О.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ковалевская Г.Г.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Аншон А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Лихарев С.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мошегов Н.Т.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Руссу Е.В.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Ройцин А.Б.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Магомедов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Батукова Л.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Слободчиков С.В.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Герасименко Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ильин Н.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
2
Гуга К.Ю.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Лашкарев Г.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Васильев А.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бродовой А.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Пляцко С.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Громовой Ю.С.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Мирец А.Л.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Гузь В.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Абдураимов А.
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленина, Ташкент, Республика Узбекистан
1
Гриняев С.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Берча А.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Зыков Г.А.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
1
Ильин В.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Сафронов Л.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Исмайлов А.А.
Институт физики Академии наук Республики Азербайджан,, Баку, Азербайджан
1
Лагунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Грессеров Б.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сорока В.И.
Институт ядерных исследований Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Гладыщук А.А.
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
22
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
12
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Ташкентский политехнический институт им. Беруни, Ташкент, Узбекистан
1
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
1
Институт ядерных исследований Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
1
Научно-производственное объединение "Исток",, Фрязино, Россия
1
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина,, Москва, Россия
1
Политехнический институт,, Вятка, Россия
1
Нижегородский исследовательский физико-технический институт, Нижний Новгород, Россия
1
Уральский политехнический институт им. С.М. Кирова, Екатеринбург, Россия
1
Научно-исследовательский институт материаловедения, Москва, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо, Кишинев, Молдова
1
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Научно-производственное объединение " Орион", Москва, Россия
1
Воронежский государственный педагогический институт, Воронеж, Россия
1
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина, Минск, Беларусь
1
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленина, Ташкент, Республика Узбекистан
1
(Получено 24.03.. Принято к печати 7.05.)
1
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Научно-производственное объединение Свет,, Москва, Россия
1
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина,, Минск, Беларусь
1
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Тернопольский педагогический институт им. Я.О. Галана,, Тернополь, Украина
1
Институт физки полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,, Новосибирск, Россия
1
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Институт физики Академии наук Республики Азербайджан,, Баку, Азербайджан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Белорусской академии наук,, Минск, Беларусь
1
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme