"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10031
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
65

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1992 год:
Статья
Просмотров
Особенности электрофизических характеристик тонких слоев PbS с низким содержанием окислителя
11
Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники
11
Влияние отжига на спектр глубоких центров захвата в ZnSe
10
Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников
10
Роль объемных глубоких центров в формировании поверхностной фотоэдс в низкоомных монокристаллах ZnSe
10
Влияние статистического сдвига уровня Ферми на электропроводность a-Si : H : нормальное и аномальное правило Мейера-Нелдела
10
Лазерно-стимулированная диффузия золота в кремнии
9
Влияние процессов ионизации примесей на проводимость сверхрешетки в немонохроматическом поле
9
Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах InxGa1-xAs-GaAs с квантовыми ямами
9
Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава Pb1-xSnxSe1-yTey, изопериодического с PbSe, в рамках p-модели
9
Резонансная зона радиационных дефектов в сплаве p-Pb1-xSnxTe (x=0.2), облученном электронами
9
Статические характеристики тонкопленочных полевых транзисторов на основе a-Si : H
8
Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей подложке p-InSb
8
Михаил Григорьевич Мильвидский (к 60-летию со дня рождения)
8
Силы осцилляторов оптических переходов в мелких примесях и примесных комплексах в кремнии и германии
8
ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в 6H-SiC
8
Высокочастотная модуляция выходной мощности полупроводникового лазера на двойной гетероструктуре n+-AlGaAs-GaAs-p*-AlGaAs греющим электрическим полем
8
Свойства n+-p-переходов на основе CdxHg1-xTe, подвергнутых локальной деформации
8
Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs
8
Влияние лазерного отжига на электрические характеристики МДП структур на основе GaAs
8
Статья
Просмотров
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо легированного полупроводника в области пространственного заряда
1347
Экситоты в квантовых ямах с двумерным электронным газом
1230
Матрица переноса одномерного уравнения Шредингера
1222
Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре
1078
Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной менее 50 ангстрем
1075
Модель радиационного накопления в системе кремний-оксид кремния
1023
О природе точечных дефектов генерируемых при диффузии акцепторных примесей в карбиде кремния
1018
Примесный центр с частично заполненной d-оболочкой в бинарном полупроводнике
1009
Термоэдс и термоток монополярных полупроводников ограниченных размеров
986
Температурная зависимость подвижности двумерного электронного газа, ограниченной примеси рассеянием, в гетероструктурах с широким слоем
958
Радиоэлектрический эффект в сверхрешетках в импульсном режиме облучения
935
Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
917
О темновом токе и шум-факторе ступенчатых ЛФД
913
О причине возникновения приповерхностного плато диффузионного профиля фосфора в кремнии
902
Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа AIVBVI (О б з о р)
893
Спиновое расщепление подзон размерного квантования в несимметричных гетероструктурах
884
Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц (О б з о р)
882
Температурное гашение остаточной проводимости в кристаллах селенида цинка, легированных медью
876
Переход металл-диэлектрик в магнитном поле в сильно легированном антимониде индия
876
Вольт-амперная характеристика МОП транзистора с учетом зависимости подвижности от продольного электрического поля
869
Спектры испускания силикатного пористого стекла, возбуждаемые лазерным излучением в области прозрачности SiO2
868
Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых p-n-структурах при термообработке
865
Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа PbTe элементами I группы
863
Самосогласованная релятивистская электронная структура соединений A I3B V
862
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
860
Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников
859
Свойства поверхности и структура энергетических зон соединений AIIBV симметрий D84 и C52h
856
Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
850
Пленка Лэнгмюра-Блоджетт в качестве диэлектрика в МДП транзисторе на основе CdxHg1-xTe
849
Некоторые закономерности и новые возможности интеркалированных халькогенидных полупроводников
848
Особенности валентных зон некоторых соединений AIIBV
846
Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия
843
Фотоиндуцированные эллиптические двулучепреломление и дихроизм в стеклообразных полупроводниках
840
Расчет динамических характеристик лавинно-пролетного диода на карбиде кремния
840
К теории захвата дырок квантовой ямой в полупроводниках типа GaAs
839
Влияние редкоземельных элементов на энтальпию и энтропию ионизации радиационных дефектов в германии, легированном фосфором
835
Электронный g-фактор в квантовых ямах и сверхрешетках
834
Электрические свойства монокристаллов p-ZnSe
832
Флуктуационные пограничные состояния в гетеропереходе
832
Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов
830
Релаксация емкости в n-pi-p-переходе с произвольным уровнем легирования n- и p-областей
829
Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs
829
Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей подложке p-InSb
828
Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
824
Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния
823
Спиновая структура пограничных состояний и циркулярный фотогальванический эффект в гетеропереходах
822
Влияние нарушения стехиометрии на экситонные, электронные и колебательные состояния в дифосфиде цинка
819
Рамановские и ИК колебательные спектры в кристаллах TlGaS2
818
Равновесные параметры глубоких объемных уровней в антимониде индия
818
ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в 6H-SiC
816
Автор
Организация
Статей
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Карпович И.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Выборнов В.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мохов Е.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Алешкин В.Я.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Бондаренко И.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Шегай О.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ковалевская Г.Г.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Аншон А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Лихарев С.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мошегов Н.Т.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Руссу Е.В.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Ройцин А.Б.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Магомедов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Батукова Л.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Слободчиков С.В.
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
2
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ильин Н.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
2
Герасименко Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гуга К.Ю.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Лашкарев Г.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Васильев А.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бродовой А.В.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Пляцко С.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Громовой Ю.С.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Мирец А.Л.
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кадышев С.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Малютенко В.К.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Вывенко О.Ф.
Политехнический институт,, Вятка, Россия
2
Бедный Б.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Становов О.Н.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Гаджиалиев М.M.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Тесленко В.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Шульга Т.С.
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Яссен М.Л.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Василевский К.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Долманов И.Н.
Научно-производственное объединение Свет,, Москва, Россия
1
Ларионова В.А.
Научно-исследовательский институт физики и прикладной математики при Уральском государственном университете им. А.М. Горького,, Екатеринбург, Россия
1
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Соколов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Горичок И.Я.
Иваново-Франковский педагогический институт им. В.С. Стефаника,, Иваново-Франковск, Украина
1
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
22
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
12
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, Киев, Украина
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Ташкентский политехнический институт им. Беруни, Ташкент, Узбекистан
1
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
1
Институт ядерных исследований Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
1
Научно-производственное объединение "Исток",, Фрязино, Россия
1
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Туркменский сельскохозяйственный институт им. М.И. Калинина,, Ашхабад, Туркмения
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина,, Москва, Россия
1
Политехнический институт,, Вятка, Россия
1
Нижегородский исследовательский физико-технический институт, Нижний Новгород, Россия
1
Уральский политехнический институт им. С.М. Кирова, Екатеринбург, Россия
1
Научно-исследовательский институт материаловедения, Москва, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо, Кишинев, Молдова
1
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Научно-производственное объединение " Орион", Москва, Россия
1
Воронежский государственный педагогический институт, Воронеж, Россия
1
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина, Минск, Беларусь
1
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленина, Ташкент, Республика Узбекистан
1
(Получено 24.03.. Принято к печати 7.05.)
1
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Научно-производственное объединение Свет,, Москва, Россия
1
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина,, Минск, Беларусь
1
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Тернопольский педагогический институт им. Я.О. Галана,, Тернополь, Украина
1
Институт физки полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,, Новосибирск, Россия
1
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Институт физики Академии наук Республики Азербайджан,, Баку, Азербайджан
1
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Белорусской академии наук,, Минск, Беларусь
1
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme