Предлагается аналитический метод, позвляющий качественно описать основные особенности примесных центров, создаваемых в бинарных полупроводниках переходными элементами, их энергетический спектр, его динамику при изменении параметров примесного атома и атомов основной решетки и характера их химической связи. При этом учитываются обменно-корреляционные эффекты в многоэлектронной системе, каковой является примесный центр с частично заполненной d-оболочкой, но не рассматриваются электрон-колебательные взаимодействия. Поэтому метод применим к анализу основного состояния многоэлектронных центров в бинарных полупроводниках. Предложенная модель применима к анализу энергетического спектра примесных центров, создаваемых в бинарных полупроводниках переходными элементами группы желаза. В результате получено значение "предельного" уровня в запрещенной зоне кристалла, который могут создавать переходные атомы, замещающие катион в бинарном полупроводнике; доказано существование резонансных уровней в валентной зоне кристалла; отмечено существенное различие магнитных состояний примесного центра и свободного иона (атома).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.