"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия
Ильин Н.П.1, Васильев А.Э.1, Мастеров В.Ф.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

На основании метода, разработанного в [1], проведен теоретический анализ основных тенденций изменения электронного спектра в ряду примесей, создаваемых переходными элементами группы железа, для бинарных полупроводников GaAs и GaP. Показана возможность существования трех типов энергетических уровней одновременно, инициируемых примесными атомами. Обсуждается проблема "начала отсчета" для этих уровней. Проанализированы зарядовые и спиновые характеристики основного состояния примесных центров, создаваемых 3d-элементами в соединениях AIIIBV.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.