"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
Карпович И.А.1, Алешкин В.Я.1, Аншон А.В.1, Байдусь Н.В.1, Батукова Л.М.1, Звонков Б.Н.1, Планкина С.М.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Методами фотолюминесценции и конденсаторной фотоэдс исследованы особенности фотоэлектронных явлений в слоях GaAs с квантовой ямой InGaAs, встроенной на поверхности, в области пространственного заряда и в квазинейтральном объеме. Вынос ямы на поверхность приводит к сильному гашению фотолюминесценции в яме, но слабо влияет на конденсаторную фотоэдс. Показано, что метод конденсаторной фотоэдс применим для диагностики квантовых ям в сильно дефектных структурах. Явление конденсаторной фотоэдс связывается с эмиссией электронно-дырочных пар из квантовой ямы и их последующим разделением на ближайших барьерах. В слоях с квантовыми ямами в области пространственного заряда отсутствует активационная зависимость конденсаторной фотоэдс от температуры, характерная для слоев с квантовыми ямами в объеме, что объяснено туннельным механизмом эмиссии электронов и дырок из квантовых ям.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.