"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поляризационная фоточувствительность тонкопленочных структур p-CuInSe2-n-CdS
Константинова Н.Н.1, Магомедов М.А.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Исследованы фотоэлектрические свойства тонкопленочных гетероструктур p-CuInSe2-n-CdS. Обнаружены поляризационная фоточувствительность и увеличение фототока короткого замыкания в результате снижения потерь на отражение при наклонном падении линейно поляризованного излучения на гетероструктуру со стороны пленки CdS<In>. Показано, что коэффициент фотоплеохроизма P увеличивается с ростом угла падения theta в по закону P~theta2 и при theta=20o достигает 64 %. Обнаруженный эффект поляризационной фоточувствительности слабо зависит от энергии фотонов в диапазоне между энергиями ширины запрещенной зоны контактирующих веществ. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в качестве широкополосных поляриметрических фотодетекторов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.