"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Реконструкция глубинной структуры микротрещин в кремнии с помощью метода томографии наведенного тока в растровом электронном микроскопе
Выборнов В.В.1,2, Бондаренко И.Е.1,2, Лихарев С.К.1,2, Трифоненков В.П.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
Выставление онлайн: 19 ноября 1992 г.

В работе уточняется модель расчета сигнала наведенного тока (НТ), используемая в предложенном ранее методе НТ томографии полупроводниковых объектов, основанном на компьютерной обработке массива НТ изображений, получаемых при различных энергиях электронов зонда растрового электронного микроскопа (РЭМ). Обсуждаются детали тестирования этого метода на реальных полупроводниковых структурах. Рассматриваются результаты практической реконструкции глубинного строения микротрещин в пластинах кремния. Реконструированные сечения качественно совпадают с предсказанными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.