Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света изучено влияние подсветки в процессе имплантации в Si ионов Р⁺ на разупорядочение структуры Si. Установлено, что подсветка приводит к увеличению размеров микрокристаллитов и объемного содержания кристаллической фазы в имплантируемом слое по сравнению с имплантацией без подсветки, а в аморфной фазе - к уменьшению величины отклонения углов связей (Delta theta) от идеальной тетраэдрической координации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.