"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Воздействие света на процесс имплантации ионов P+ в Si
Артамонов В.В.1, Валах М.Я.1, Денисов А.В.1, Мордкович В.Н.1, Нечипорук Б.Д.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 19 ноября 1992 г.

Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света изучено влияние подсветки в процессе имплантации в Si ионов Р+ на разупорядочение структуры Si. Установлено, что подсветка приводит к увеличению размеров микрокристаллитов и объемного содержания кристаллической фазы в имплантируемом слое по сравнению с имплантацией без подсветки, а в аморфной фазе --- к уменьшению величины отклонения углов связей (Delta theta) от идеальной тетраэдрической координации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.