"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо легированного полупроводника в области пространственного заряда
Кальфа А.А., Чикун В.В.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Предложена модель расчета обратной ветви ВАХ на диодах с неоднородным легированием области пространственного заряда в барьере Шоттки. В приближении ВКБ (WKB) найдена величина одномерного уравнения Пуассона. Экспериментально измерена ВАХ GaAs диодов Шоттки с металлизацией Au/Ti, напыляемой на холодную подложку. Получено хорошее совпадение расчетной и экспериментальной ВАХ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.