"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Равновесные параметры глубоких объемных уровней в антимониде индия
Шемелина О.С., Новотоцкий-Власов Ю.Ф.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Предложен метод определения всех равновесных параметров глубоких объемных уровней (РП ГОУ) --- типа уровня, степени вырождения, энергии, концентрации из температурной зависимости удельного сопротивления rho(T) --- и получены критерии необходимой точности экспериментальных измерений для обеспечения однозначной интерпретации результатов. На серии образцов p-InSb проведены измерения rho(T) в диапазоне 78/160 K в условиях, когда отклонения снимаемых значений температуры T от стационарных не превышают ±0.01 K. С привлечением литературных данных по примесному поглощению и примесной фотопроводимости в InSb определены все РП трех доминирующих ГОУ. Эта система ГОУ одинакова для всех исследованных образцов и не зависит от технологии изготовления материала, что позволяет говорить о ее биографическом происхождении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.