"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности валентных зон некоторых соединений AIIBV
Сырбу Н.Н., Камерцель А.Ю., Стамов И.Г.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

Исследованы оже-спектры поверхностей кристаллов ZnP2 (D48), ZnP2 (C2h5), CdP2, CdP4, ZnAs2. Разработана модель и восстановлены "истинные" оже-линии элементов (Zn, Cd, As, P) по дифференциальным спектрам. Показано, что оже-линии фосфора в соединениях ZnP2 (D48), CdP2, CdP4 согласуются с известными для этих материалов рентгеновскими эмиссионными линиями фосфора PL2,3, PKalpha и с результатами теоретических расчетов структуры зон. Получено распределение плотности занятых состояний в валентной зоне. Показано, что валентная зона в соединениях ZnP2, ZnAs2, CdP2 и CdP4 состоит из групп зон (подзон), максимумы плотности занятых состояний в которых разделены на различные величины. Определены величина расщепления валентных зон. Показано, что восстановленные оже-линии в совокупности с рентгеновскими спектрами представляют информацию о формировании валентной зоны S- или P-состояниями цинка или фосфора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.