Методом измерения эффекта Холла исследованы процессы образования термодоноров (ТД) при 427^oC в кристаллах Si <O> и Si<Ge, O> с концентрацией кислорода и германия 8.0·10¹⁷ и 1.2·10²⁰ см^-3 соответственно. Установлено, что подавление генерации ТД в Si <Ge, O> обусловлено увеличением характеристического времени образования как центров зарождения, так и ТД первых типов. Показано, что указанный эффект определяется уменьшением радиусов захвата подвижных частиц (атомов кислорода) данными комплексами. Экспериментальные результаты интерпретированы с учетом наличия в кристаллах Si <Ge, O> внутренних деформационных полей, создаваемых атомами изовалентной примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.