"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика образования термодоноров в кристаллах Si <Ge, O>
Бринкевич Д.И., Маркевич В.П., Мурин Л.И., Петров В.В.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

Методом измерения эффекта Холла исследованы процессы образования термодоноров (ТД) при 427oC в кристаллах Si <O> и Si<Ge, O> с концентрацией кислорода и германия 8.0·1017 и 1.2·1020 см-3 соответственно. Установлено, что подавление генерации ТД в Si <Ge, O> обусловлено увеличением характеристического времени образования как центров зарождения, так и ТД первых типов. Показано, что указанный эффект определяется уменьшением радиусов захвата подвижных частиц (атомов кислорода) данными комплексами. Экспериментальные результаты интерпретированы с учетом наличия в кристаллах Si <Ge, O> внутренних деформационных полей, создаваемых атомами изовалентной примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.