"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe
Завьялов В.В., Раданцев В.Ф., Дерябина Т.И.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

При 4.2<T<250 K исследованы электрофизические характеристики барьеров Шоттки Pb (Sn) - p-Hg1-xCdxTe [x=0.2-0.4, NA-ND=(0.2-10)·1015 см-3] с близкими к единице коэффициентами идеальности. Для всех составов и уровней легирования уровень Ферми на поверхности полупроводника закреплен на расстоянии varphi0 2Eg/3 от вершины валентной зоны. Экспериментальные результаты удается описать в двухзонном кейновском приближении для закона дисперсии только при одновременном учете (зачастую в одном и том же интервале T) межзонного туннелирования, туннелирования с участием глубоких уровней, термополевой эмиссии и надбарьерных механизмов. Обнаруженные аномалии в температурных зависимостях обратных туннельных токов объясняются температурными изменениями эффективной массы и varphi0 при низких T и доминированием межзонной термополевой эмиссии в области высоких T.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.