"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэффект в структуре металл-полупроводник-металл на основе высокоомного полупроводника
Кашерининов П.Г., Резников Б.И., Царенков Г.В.
Выставление онлайн: 20 июля 1992 г.

Теоретически исследован стационарный фотоэффект в симметричной структуре металл-полупроводник-металл на основе высокоомного полупроводника. К структуре приложено напряжение, во много раз превышающее контактную разность потенциалов. На границах с металлом учтена эмиссия электронов и дырок. Численные расчеты проведены для случая освещения со стороны положительного контакта. Показано, что при малых интенсивностях освещения Ii<< I* ток j в структуре растет линейно с интенсивностью, при умеренных интенсивностях зависимость j(Ii) сублинейна, а при больших интенсивностях Ii<= I* ток слабо растет вблизи значения j*. Здесь I* --- характерный масштаб интенсивности (пропорциональный квадрату приложенного напряжения V и обратно пропорциональный кубу ширины образца d), а j*=(9/8)eI* --- ток, ограниченный пространственным зарядом. Нелинейность j(Ii) существует при отсутствии захвата носителей на уровни прилипания, поверхностной и объемной рекомбинации и связана исключительно с ослаблением внешнего поля полем генерированных носителей. Электрическое поле в структуре растет при удалении от освещаемой поверхности. С увеличением интенсивности поле у освещаемой поверхности E0 уменьшается (E0<< V/d при Ii<< I*), а поле у темнового контакта Ed растет [Ed~=(3/2)V/d при Ii<= I*]. В основной части образца превалирует дрейфовый перенос, дырочная концентрация намного больше электронной, и выполняется соотношение pE=const (p --- концентрация дырок). Вблизи контактов имеются тонкие пограничные слои, в которых диффузия согласует значения концентраций электронов и дырок в толще с их граничными значениями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.