"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронный g-фактор в квантовых ямах и сверхрешетках
Ивченко Е.Л., Киселев А.А.
Выставление онлайн: 20 июля 1992 г.

Рассчитан g-фактор электрона в структуре с одиночной квантовой ямой и в сверхрешетке. Расчет проводился как в однозонном приближении, так и в модели Кейна, в которой точно учитывается kp-смешивание состояний cGamma6, nuGamma8, nuGamma7. Найдена зависимость g-фактора от толщины слоев гетероструктуры. Показано, что за счет эффектов размерного квантования g-фактор электрона в зоне проводимости становится анизотропным. В структуре GaAs/AlGaAs при изменении толщины слоев продольная (g||) и поперечная (g normal ) компоненты g-фактора проходят через нуль, так что существует диапазон толщин, в которых g|| и g normal имеют противоположные знаки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.