"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
Амальская Р.М., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Суханов В.Л.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Эффективность процесса трехступенчатого геттерирования проанализирована в зависимости от толщины окисла, выращенного как на рабочей, так и на нерабочей поверхностях кремниевой пластины. Показано, что наиболее интенсивно геттерирование остаточных примесей происходит при наличии тонкого окисла (в условиях генерации неравновесных собственных междоузельных атомов) или толстого окисла (в условиях генерации неравновесных вакансий). Промежуточная область толщин окисла, характеризующаяся интенсивной аннигиляцией вакансий и собственных междоузельных атомов вблизи поверхности пластины, не позволяет реализовать условия эффективного геттерирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.