"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
Качурин Г.А.1, Гадияк Г.В.1, Шатров В.И.1, Тысченко И.Е.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Наблюдаемое экспериментально стягивание примесных атомов в пики при ионном облучении нагретого кремния (восходящая диффузия) промоделировано численно на ЭВМ. Подвижным компонентом считалась пара примесный атом-дефект, имеющая энергию связи EB, а атомы примеси в узлах решетки считались неподвижными. Вероятность образования пар была пропорциональна квазистационарной концентрации генерируемых облучением точечных дефектов с максимумом, соответствующим Rd-максимуму выделения ионами упругих потерь. Система уравнений непрерывности учитывала диффузию пар, дефектов и взаимодействие примеси с дефектами. Решение линеаризованных уравнений осуществлялось методом исключения Гаусса для ленточных матриц. Показано, что модель приводит к перераспределению примеси под облучением от изначально равномерного к системе из двух пиков, разделенных минимумом концентрации на глубине Rd. Концентрация ионов примеси в пиках превышает исходную, а их величина и положение являются функциями диффузионных длин пар и дефектов. Рассмотрен также асимметричный случай, когда диффузионные длины по обе стороны от Rd не одинаковы. Результаты моделирования количественно и качественно соответствуют экспериментам, причем варьируемые численные параметры находятся в физически обоснованных интервалах значений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.