Исследовались спектры излучения гетеролазеров на основе GaInAsSb/GaSb и GaInAsSb/AlGaAsSb в спонтанном и лазерном режимах при 77 и 295 K. Показано, что во всех исследованных лазерных структурах когерентное излучение возникает при рекомбинации носителей заряда через состояния в самосогласованной квантово-размерной яме на гетерогранице GaInAsSb/GaSb либо GaInAsSb/AlGaAsSb. Длинноволновый сдвиг лазерного излучения относительно максимума спонтанного излучения возникает в случаях присутствия в спектре большого количества излучения, обусловленного межзонной рекомбинацией носителей заряда в объеме узкозонного материала активной области и определяющего этот максимум. Количество межзонного излучения узкозонного материала зависит от расстояния, преодолеваемого дырками от инжектирующего их p-n-перехода до самосогласованной квантово-размерной ямы на n-n-границе. Оно становится сравнимо с интерфейсным излучением, когда это расстояние составляет 0.5-0.7 мкм и больше.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.