"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом n-кремнии
Вербицкая Е.М.1, Еремин В.К.1, Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Проведено сравнение термостабильности Si, выращенного методами зонной плавки и Чохральского и, следовательно, отличающегося содержанием кислорода и углерода. Применяемые режимы относятся к слабо изученному диапазону температур (=<sssim1000oC) и малых длительностей воздействия (от 1/2 ч до десятков мс). Спектры глубоких уровней исследовались методом DLTS. Установлено, что при одиночных воздействиях при T>~=900oC формируются 3 основных глубоких уровня: DL1 (Ec-0.55 эВ, taun=3·10-15 см2); DL2 (Ec-0.45 эВ, taun=6·10-16 см2); DL3 (Ec-0.40 эВ, taun=1·10-12 см2). Образование DL1 и DL2 носит конкурентный характер. Так, для Si, полученного зонной плавкой, основным является DL2, который трансформируется в DL1 с увеличением T либо с увеличением времени воздействия. В Si, полученном по Чохральскому, доминирует DL1. Проведение цикла, характерного для планарной технологии получения p+-n-n+-структур, приводит к стабильному формированию DL1 для обоих типов Si. Природу DL1 можно объяснить в рамках модели глубокого центра с отрицательной корреляционной энергией типа реконструированного межузельного атома Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.