Проведено сравнение термостабильности Si, выращенного методами зонной плавки и Чохральского и, следовательно, отличающегося содержанием кислорода и углерода. Применяемые режимы относятся к слабо изученному диапазону температур (=<sssim1000^oC) и малых длительностей воздействия (от 1/2 ч до десятков мс). Спектры глубоких уровней исследовались методом DLTS. Установлено, что при одиночных воздействиях при T>~=900^oC формируются 3 основных глубоких уровня: DL1 (E_c-0.55 эВ, tau_n=3·10^-15 см²); DL2 (E_c-0.45 эВ, tau_n=6·10^-16 см²); DL3 (E_c-0.40 эВ, tau_n=1·10^-12 см²). Образование DL1 и DL2 носит конкурентный характер. Так, для Si, полученного зонной плавкой, основным является DL2, который трансформируется в DL1 с увеличением T либо с увеличением времени воздействия. В Si, полученном по Чохральскому, доминирует DL1. Проведение цикла, характерного для планарной технологии получения p⁺-n-n⁺-структур, приводит к стабильному формированию DL1 для обоих типов Si. Природу DL1 можно объяснить в рамках модели глубокого центра с отрицательной корреляционной энергией типа реконструированного межузельного атома Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.