Методом численного моделирования исследован процесс включения GaAs и Si p-i-n-диодов с толщиной базы W=2.5/10 мкм и площадью S=10⁴ см² в диапазоне плотностей токов j=10²/10⁴ А/см², характерном для современных p-i-n-диодов с малым временем переключения. В GaAs при плотности тока j=10²/10³ А/см² существенную часть времени переходного процесса занимает дрейф квазинейтральной плазмы от p⁺-n-перехода по направлению к n-n⁺-переходу. В этом же диапазоне плотностей токов в Si этот процесс протекает относительно быстро, и большую часть времени включения занимает плавное нарастание концентрации носителей обоих знаков по всей длине диода. В области плотностей токов j=10³/10⁴ А/см² (в зависимости от толщины базы W) как Si, так и GaAs диоды включаются за счет перекрытия базы фронтами электронов и дырок, движущимися навстречу друг другу с насыщенной скоростью. Диоды GaAs с толщиной базы W=2/5 мкм при j=10²/10³ А/см² включаются в 3-5 раз быстрее, чем аналогичные Si диоды (при W=2.5 мкм, j=10² А/см² время включения, tau₁=0.25 для GaAs и tau₂=1.0 нc для Si). С ростом толщины базы преимущества GaAs диодов по времени включения в указанном режиме уменьшаются. При W=10 мкм и j=10² А/см² времена включения GaAs и Si диодов составляют соответственно tau₁=17 и tau₂=25 нc.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.