"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Динамика включения Si и GaAs p-i-n-диодов
Румянцев С.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Методом численного моделирования исследован процесс включения GaAs и Si p-i-n-диодов с толщиной базы W=2.5/10 мкм и площадью S=104 см2 в диапазоне плотностей токов j=102/104 А/см2, характерном для современных p-i-n-диодов с малым временем переключения. В GaAs при плотности тока j=102/103 А/см2 существенную часть времени переходного процесса занимает дрейф квазинейтральной плазмы от p+-n-перехода по направлению к n-n+-переходу. В этом же диапазоне плотностей токов в Si этот процесс протекает относительно быстро, и большую часть времени включения занимает плавное нарастание концентрации носителей обоих знаков по всей длине диода. В области плотностей токов j=103/104 А/см2 (в зависимости от толщины базы W) как Si, так и GaAs диоды включаются за счет перекрытия базы фронтами электронов и дырок, движущимися навстречу друг другу с насыщенной скоростью. Диоды GaAs с толщиной базы W=2/5 мкм при j=102/103 А/см2 включаются в 3-5 раз быстрее, чем аналогичные Si диоды (при W=2.5 мкм, j=102 А/см2 время включения, tau1=0.25 для GaAs и tau2=1.0 нc для Si). С ростом толщины базы преимущества GaAs диодов по времени включения в указанном режиме уменьшаются. При W=10 мкм и j=102 А/см2 времена включения GaAs и Si диодов составляют соответственно tau1=17 и tau2=25 нc.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.