В работе излагаются результаты изучения вольт-амперных (ВАХ) и вольт-фарадных (ВФХ) характеристик кремниевых структур полупроводник-диэлектрик-полупроводник p⁺-Si^*-SiO₂-p-Si с толщиной диэлектрика менее 50 Angstrem. Определенная величина поверхностного начального изгиба зон в p-кремнии составляла varphi⁰_s=640-720 мВ при толщинах окисла от 20 до 33 Angstrem. Вольт-амперные характеристики при напряжениях прямого смещения, больших поверхностного начального изгиба зон в p-Si, носят резко выраженный пороговый характер, что связано с переходом границы раздела Si-S₂O₂ в состояние обогащения основными носителями заряда (дырками). При этом ток определяется туннелированием основных носителей заряда из аккумуляционного дырочного слоя через окисел в p⁺-поликремний. Характер спада прямого тока с толщиной окисного слоя свидетельствует об отличии структуры окисных слоев толщиной 20-33 Angstrem от структуры SiO₂ стехиометрического состава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.