"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние условий ионной имплантации на дефектообразование в кремнии
Жуковский П.В.
Выставление онлайн: 20 декабря 1991 г.

Продолжена и проанализирована феноменологическая модель, описывающая зависимость процессов дефектообразования от условий ионной имплантации.Приведены экспериментальные результаты исследования зависимостей процессов дефектообразования и аморфизации кремния при имплантации ионами 20Ne+, 31 P+, 40Ar+ и 84Kr+ в интервале температур 120-500 K и плотностей ионного тока j=(0.5-4) мкА/см2. Проведен анализ экспериментальных результатов в рамках рассматриваемой модели. Определены основные характеристики дефектов, участвующих в аморфизации кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.