"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной менее 50 ангстрем
Вуль А.Я., Макарова Т.Л., Осипов В.Ю., Зинчик Ю.С., Бойцов С.К.
Выставление онлайн: 20 декабря 1991 г.

Исследована кинетика низкотемпературного термического окисления кремния n- и p-типа проводимости ориентации (100). Обнаружена аномальная, т. е. имеющая отрицательную скорость роста, кинетика образования окисных слоев толщиной d<50 Angstrem. Параллельные измерения параметров слоев эллипсометрическим методом и методом оже-анализа показали, что процесс роста термического окисла сопровождается деструкцией естественного окисного слоя, всегда присутствующего на поверхности кремния; при этом свойства границы раздела термический окисел-кремний с некоторого этапа процесса соответствуют свойствам границы раздела Si-SiO2. Исследования кинетики роста позволили установить, что для получения совершенных сверхтонких окисных слоев необходимо перед выращиванием термического окисла удалить естественный оксидный слой. Фотоэлектрические и оптические характеристики структур поликристаллический кремний p-типа проводимости --- SiO2-p-Si с окислом, выращенным с учетом этого условия, показали, что проводимость окисных слоев с толщиной d<35 Angstrem носит туннельный характер и величина потенциального барьера для дырок на границе Si-SiO2 составляет 2.2-3.0 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.